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1. (WO2018063248) TRANSISTORS EN MATÉRIAU DU GROUPE III-V UTILISANT UNE COUCHE BARRIÈRE DE DIFFUSION DE DOPANT À BASE DE NITRURE
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N° de publication : WO/2018/063248 N° de la demande internationale : PCT/US2016/054461
Date de publication : 05.04.2018 Date de dépôt international : 29.09.2016
CIB :
H01L 29/78 (2006.01) ,H01L 29/66 (2006.01) ,H01L 29/417 (2006.01) ,H01L 21/8252 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
40
Electrodes
41
caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative
417
transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78
avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82
pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
8252
le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie III-V
Déposants :
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs :
MOHAPATRA, Chandra S.; US
KENNEL, Harold W.; US
GLASS, Glenn A.; US
RACHMADY, Willy; US
MURTHY, Anand S.; US
DEWEY, Gilbert; US
KAVALIEROS, Jack T.; US
GHANI, Tahir; US
METZ, Matthew V.; US
MA, Sean T.; US
Mandataire :
MALONEY, Neil F.; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) GROUP III-V MATERIAL TRANSISTORS EMPLOYING NITRIDE-BASED DOPANT DIFFUSION BARRIER LAYER
(FR) TRANSISTORS EN MATÉRIAU DU GROUPE III-V UTILISANT UNE COUCHE BARRIÈRE DE DIFFUSION DE DOPANT À BASE DE NITRURE
Abrégé :
(EN) Techniques are disclosed for forming group III-V material transistors employing nitride-based dopant diffusion barrier layers. The techniques can include growing the dilute nitride-based barrier layer as a relatively thin layer of III-V material in the sub-channel (or sub-fin) region of a transistor, near the substrate/III-V material interface, for example. Such a nitride-based barrier layer can be used to trap atoms from the substrate at vacancy sites within the III-V material. Therefore, the barrier layer can arrest substrate atoms from diffusing in an undesired manner by protecting the sub-channel layer from being unintentionally doped due to subsequent processing in the transistor fabrication. In addition, by forming the barrier layer pseudomorphically, the lattice mismatch of the barrier layer with the sub-channel layer in the heterojunction stack becomes insignificant. In some embodiments, the group III-V alloyed with nitrogen (N) material may include an N concentration of less than 5, 2, or 1.5 percent.
(FR) L'invention concerne des Techniques de formation de transistors en matériau du groupe III-V utilisant des couches barrières de diffusion de dopant à base de nitrure. Les techniques peuvent comprendre la croissance de la couche barrière à base de nitrure dilué en tant que couche relativement mince de matériau III-V dans le sous-canal (ou sous-ailette) de région d'un transistor, à proximité de l'interface de matériau substrat/III-V, par exemple. Une telle couche barrière à base de nitrure peut être utilisée pour piéger des atomes du substrat au niveau de sites de lacune dans le matériau III-V. Par conséquent, la couche barrière peut arrêter des atomes de substrat de se diffuser de manière non souhaitée en protégeant la couche de sous-canal d'être intentionnellement dopée en raison d'un traitement ultérieur dans la fabrication de transistor. De plus, en formant la couche barrière de manière pseudomorphiqueme, le désaccord de réseau de la couche barrière avec la couche de sous-canal dans la pile à hétérojonction devient insignifiant. Dans certains modes de réalisation, le groupe III-V allié à un matériau à base d'azote (N) peut comprendre une concentration N inférieure à 5, 2 ou 1,5 pour cent.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)