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1. (WO2018062471) PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE ET KIT
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N° de publication : WO/2018/062471 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/035443
Date de publication : 05.04.2018 Date de dépôt international : 29.09.2017
CIB :
G03F 7/32 (2006.01) ,G03F 7/038 (2006.01) ,G03F 7/039 (2006.01) ,G03F 7/16 (2006.01) ,H01L 21/027 (2006.01)
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
26
Traitement des matériaux photosensibles; Appareillages à cet effet
30
Dépouillement selon l'image utilisant des moyens liquides
32
Compositions liquides à cet effet, p.ex. développateurs
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
004
Matériaux photosensibles
038
Composés macromoléculaires rendus insolubles ou sélectivement mouillables
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
004
Matériaux photosensibles
039
Composés macromoléculaires photodégradables, p.ex. réserves positives sensibles aux électrons
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
16
Procédés de couchage; Appareillages à cet effet
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
027
Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe H01L21/18 ou H01L21/34187
Déposants :
富士フイルム株式会社 FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区西麻布2丁目26番30号 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620, JP
Inventeurs :
上村 哲也 KAMIMURA Tetsuya; JP
Mandataire :
渡辺 望稔 WATANABE Mochitoshi; JP
三和 晴子 MIWA Haruko; JP
伊東 秀明 ITOH Hideaki; JP
三橋 史生 MITSUHASHI Fumio; JP
Données relatives à la priorité :
2016-19476030.09.2016JP
Titre (EN) PATTERN FORMATION METHOD, METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRONIC DEVICE, AND KIT
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE ET KIT
(JA) パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、キット
Abrégé :
(EN) The purpose of the present invention is to provide a pattern formation method exhibiting superior developability and defect suppression performance. Another purpose of the present invention is to provide a method for manufacturing an electronic device, said method including the pattern formation method. Another purpose of the present invention is to provide a kit capable of forming a pattern exhibiting superior developability and defect suppression performance. The pattern formation method of the present invention comprises: a resist film formation step for forming a resist film on a substrate using an active ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition; an exposure step for exposing the resist film; and a developing step for developing the exposed resist film using a developing solution; wherein the active ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition contains an acid-decomposable resin expressed by a specific structure; and as the developing solution, a chemical solution containing an organic solvent, alcohol impurities, and metal impurities containing at least metal atoms is used, the total content amount of the alcohol impurities being 0.01 mass ppb to 1000 mass ppm per the total mass of the chemical solution.
(FR) Le but de la présente invention est de fournir un procédé de formation de motif présentant une aptitude au développement et une performance de suppression de défauts supérieures. Un autre but de la présente invention est de fournir un procédé de fabrication d'un dispositif électronique, ledit procédé comprenant le procédé de formation de motif. Un autre but de la présente invention est de fournir un kit pouvant former un motif présentant une aptitude au développement et une performance de suppression de défauts supérieures. Le procédé de formation de motif de la présente invention comprend : une étape de formation de film de réserve permettant de former un film de réserve sur un substrat à l'aide d'une composition de résine sensible aux rayons actifs ou sensible au rayonnement ; une étape d'exposition permettant d'exposer le film de réserve ; et une étape de développement permettant de développer le film de réserve exposé à l'aide d'une solution de développement ; la composition de résine sensible aux rayons actifs ou sensible au rayonnement contenant une résine décomposable par un acide exprimée par une structure spécifique ; et en tant que solution de développement, une solution chimique contenant un solvant organique, des impuretés d'alcool, et des impuretés métalliques contenant au moins des atomes de métal est utilisée, la quantité de teneur totale des impuretés d'alcool étant de 0,01 ppb en masse à 1000 ppm en masse par la masse totale de la solution chimique.
(JA) 本発明の目的は、現像性及び欠陥抑制性能に優れたパターン形成方法を提供することにある。また、本発明の他の目的は、上記パターン形成方法を含む電子デバイスの製造方法を提供することにある。また、本発明の他の目的は、現像性及び欠陥抑制性能に優れたパターンを形成できるキットを提供することにある。 本発明のパターン形成方法は、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて、基板上にレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、上記レジスト膜を露光する露光工程と、露光された上記レジスト膜を、現像液を用いて現像する現像工程と、を有するパターン形成方法であって、上記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、特定構造で表される酸分解性樹脂を含有し、上記現像液として、有機溶剤と、アルコール不純物と、金属原子を少なくとも含有する金属不純物とを含有する薬液であって、上記アルコール不純物の合計含有量が、薬液の全質量に対して0.01質量ppb~1000質量ppmである薬液を用いる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)