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1. (WO2018062423) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, ET DISPOSITIF DE MONTAGE
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N° de publication :    WO/2018/062423    N° de la demande internationale :    PCT/JP2017/035323
Date de publication : 05.04.2018 Date de dépôt international : 28.09.2017
CIB :
H01L 21/60 (2006.01), H01L 25/065 (2006.01), H01L 25/07 (2006.01), H01L 25/18 (2006.01)
Déposants : SHINKAWA LTD. [JP/JP]; 51-1, Inadaira 2-chome, Musashimurayama-shi, Tokyo 2088585 (JP)
Inventeurs : NAKAMURA Tomonori; (JP).
MAEDA Toru; (JP)
Mandataire : YKI PATENT ATTORNEYS; 1-34-12, Kichijoji-Honcho, Musashino-shi, Tokyo 1800004 (JP)
Données relatives à la priorité :
2016-194945 30.09.2016 JP
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND MOUNTING DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, ET DISPOSITIF DE MONTAGE
(JA) 半導体装置の製造方法および実装装置
Abrégé : front page image
(EN)The present invention is provided with: a temporary crimping step in which one or more semiconductor chips 10 are sequentially laminated while being temporarily crimped in each of two or more locations on a substrate 30 to thereby form chip stacks ST in a temporarily crimped state; and a permanent crimping step in which the top surfaces of all of the chip stacks ST formed in the temporarily crimped state are sequentially heated, compressed, and permanently crimped. Furthermore, a specification step is provided prior to the temporary crimping step, in which a separation distance Dd is specified, which is the distance from the chip stacks ST during the permanent crimping step to a location at which the temperature of the substrate 30, the temperature of which having been raised by heating for the permanent crimping, is at or below a specified permissible temperature Td, and in the temporary crimping step, the chip stacks ST in the temporarily crimped state are formed separated from each other by the separation distance Dd or more.
(FR)La présente invention comprend : une étape de sertissage temporaire consistant à stratifier séquentiellement une ou plusieurs puces semi-conductrices (10) tout en sertissant temporairement ces dernières dans chaque emplacement d'au moins deux emplacements sur un substrat (30) de façon à former ainsi des empilements de puces (ST) dans un état temporairement serti ; et une étape de sertissage permanent consistant à chauffer successivement, comprimer, puis sertir de manière permanente les surfaces supérieures de tous les empilements de puces (ST) formés dans l'état temporairement serti. En outre, une étape de spécification est prévue avant l'étape de sertissage temporaire, consistant à spécifier une distance de séparation Dd représentant la distance des empilements de puces (ST) pendant l'étape de sertissage permanent à un emplacement où la température du substrat (30), dont la température a été augmentée par chauffage en vue du sertissage permanent, est inférieure ou égale à une température admissible spécifiée Td, et à l'étape de sertissage temporaire, les empilements de puces (ST) dans l'état temporairement serti sont formés séparés les uns des autres par une distance supérieure ou égale à la distance de séparation Dd.
(JA)基板30上の2以上の箇所それぞれにおいて、1以上の半導体チップ10を順次、仮圧着しながら積層して仮圧着状態のチップスタックSTを形成する仮圧着工程と、形成された前記仮圧着状態のチップスタックST全ての上面を、順番に、加熱加圧して本圧着する本圧着工程と、を備え、さらに、前記仮圧着工程に先だって、本圧着中のチップスタックSTから、当該本圧着のための加熱により昇温した前記基板30の温度が規定の許容温度Td以下となる箇所までの距離である離間距離Ddを特定する特定工程を備え、前記仮圧着工程では、前記仮圧着状態のチップスタックSTを、互いに、前記離間距離Dd以上、離して形成する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)