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1. (WO2018062253) FILM
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N° de publication : WO/2018/062253 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/034911
Date de publication : 05.04.2018 Date de dépôt international : 27.09.2017
CIB :
C08J 5/18 (2006.01) ,H01B 3/44 (2006.01) ,H01G 4/18 (2006.01) ,H01L 41/193 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
08
COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES ORGANIQUES; LEUR PRÉPARATION OU LEUR MISE EN UVRE CHIMIQUE; COMPOSITIONS À BASE DE COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES
J
MISE EN ŒUVRE; PROCÉDÉS GÉNÉRAUX POUR FORMER DES MÉLANGES; POST-TRAITEMENT NON COUVERT PAR LES SOUS-CLASSES C08B, C08C, C08F, C08G ou C08H149
5
Fabrication d'objets ou de matériaux façonnés contenant des substances macromoléculaires
18
Fabrication de bandes ou de feuilles
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
B
CÂBLES; CONDUCTEURS; ISOLATEURS; EMPLOI DE MATÉRIAUX SPÉCIFIÉS POUR LEURS PROPRIÉTÉS CONDUCTRICES, ISOLANTES OU DIÉLECTRIQUES
3
Isolateurs ou corps isolants caractérisés par le matériau isolant; Emploi de matériaux spécifiés pour leurs propriétés isolantes ou diélectriques
18
composés principalement de substances organiques
30
matières plastiques; résines; cires
44
résines vinyliques; résines acryliques
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
G
CONDENSATEURS; CONDENSATEURS, REDRESSEURS, DÉTECTEURS, DISPOSITIFS DE COMMUTATION, DISPOSITIFS PHOTOSENSIBLES OU SENSIBLES À LA TEMPÉRATURE, DU TYPE ÉLECTROLYTIQUE
4
Condensateurs fixes; Procédés pour leur fabrication
002
Détails
018
Diélectriques
06
Diélectriques solides
14
Diélectriques organiques
18
en matériau synthétique, p.ex. en dérivés de la cellulose
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
41
Dispositifs piézo-électriques en général; Dispositifs électrostrictifs en général; Dispositifs magnétostrictifs en général; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
16
Emploi de matériaux spécifiés
18
pour des éléments piézo-électriques ou électrostrictifs
193
Compositions macromoléculaires
Déposants :
ダイキン工業株式会社 DAIKIN INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 大阪府大阪市北区中崎西二丁目4番12号 梅田センタービル Umeda Center Building, 4-12, Nakazaki-Nishi 2-Chome, Kita-ku, Osaka-Shi, Osaka 5308323, JP
Inventeurs :
硲 武史 HAZAMA, Takeshi; JP
小松 信之 KOMATSU, Nobuyuki; JP
横谷 幸治 YOKOTANI, Kouji; JP
立道 麻有子 TATEMICHI, Mayuko; JP
樋口 達也 HIGUCHI, Tatsuya; JP
古賀 景子 KOGA, Keiko; JP
Mandataire :
特許業務法人 安富国際特許事務所 YASUTOMI & ASSOCIATES; 大阪府大阪市淀川区宮原3丁目5番36号 5-36, Miyahara 3-chome, Yodogawa-ku, Osaka-shi, Osaka 5320003, JP
Données relatives à la priorité :
2016-19014428.09.2016JP
Titre (EN) FILM
(FR) FILM
(JA) フィルム
Abrégé :
(EN) Provided is a film which has high relative dielectric constant, high volume resistivity and high dielectric breakdown strength. This film is characterized in that: the relative dielectric constant thereof at a frequency of 1 kHz at 30°C is 9 or more; the volume resistivity thereof at 30°C is 5E + 15 Ω·cm or more; and the dielectric breakdown strength thereof is 500 V/μm or more.
(FR) L'invention concerne un film doté d'une constante diélectrique relative élevée, d'une résistivité volumique élevée et d'une résistance à la rupture diélectrique élevée. Ce film se caractérise en ce que : sa constante diélectrique relative à une fréquence de 1 kHz à 30°C est de 9 ou supérieure ; sa résistivité volumique à 30°C est de 5E + 15 Ω·cm ou supérieure ; et sa résistance à la rupture diélectrique est de 500 V/µm ou supérieure.
(JA) 比誘電率、体積抵抗率及び絶縁破壊強さのいずれもが高いフィルムを提供する。周波数1kHz、30℃での比誘電率が9以上であり、30℃での体積抵抗率が5E+15Ω・cm以上であり、絶縁破壊強さが500V/μm以上であることを特徴とするフィルムである。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)