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1. (WO2018062224) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN MONOCRISTAL DE SiC, ET GERME DE SiC
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N° de publication : WO/2018/062224 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/034852
Date de publication : 05.04.2018 Date de dépôt international : 27.09.2017
CIB :
C30B 29/36 (2006.01) ,C30B 19/12 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
30
CROISSANCE DES CRISTAUX
B
CROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
29
Monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée caractérisés par leurs matériaux ou par leur forme
10
Composés inorganiques ou compositions inorganiques
36
Carbures
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
30
CROISSANCE DES CRISTAUX
B
CROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
19
Croissance d'une couche épitaxiale à partir de la phase liquide
12
caractérisée par le substrat
Déposants :
トヨタ自動車株式会社 TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 愛知県豊田市トヨタ町1番地 1, Toyota-cho, Toyota-shi, Aichi 4718571, JP
Inventeurs :
楠 一彦 KUSUNOKI, Kazuhiko; JP
関 和明 SEKI, Kazuaki; JP
岸田 豊 KISHIDA, Yutaka; JP
森口 晃治 MORIGUCHI, Koji; JP
岡田 信宏 OKADA, Nobuhiro; JP
海藤 宏志 KAIDO, Hiroshi; JP
大黒 寛典 DAIKOKU, Hironori; JP
土井 雅喜 DOI, Masayoshi; JP
加渡 幹尚 KADO, Motohisa; JP
Mandataire :
アセンド特許業務法人 ASCEND IP LAW FIRM; 大阪府大阪市北区堂島一丁目5番17号 5-17, Dojima 1-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300003, JP
Données relatives à la priorité :
2016-18884527.09.2016JP
Titre (EN) METHOD FOR PRODUCING SiC SINGLE CRYSTAL, AND SiC SEED CRYSTAL
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN MONOCRISTAL DE SiC, ET GERME DE SiC
(JA) SiC単結晶の製造方法及びSiC種結晶
Abrégé :
(EN) Provided are a method for producing an SiC single crystal by a solvent growth method in which it is possible to suppress the occurrence of solvent inclusions, and an SiC seed crystal to be used in a solvent growth method. The method for producing an SiC single crystal according to the present embodiment is a production method involving a solvent growth method in which the crystal growth plane (80) of an SiC seed crystal (8) is brought into contact with Si-C solution (7) and an SiC single crystal is grown. The production method is provided with a preparation step and a growth step. In the preparation step, a raw material is heated and melted to prepare an Si-C solution (7). In the growth step, the crystal growth plane (80) is brought into contact with the Si-C solution (7), and an SiC single crystal is grown on the crystal growth plane (80). The crystal growth plane (80) comprises only one of a non-facet region and a facet region (81). The ratio of the difference in value between the maximum value and the minimum value with respect to the minimum value of the nitrogen concentration at a specific measurement location in the crystal growth plane (80) of the SiC seed crystal (8) is 15% or less.
(FR) La présente invention concerne un procédé de production d'un monocristal de SiC au moyen d'un procédé de croissance dans un solvant dans lequel il est possible de supprimer l'apparition d'inclusions de solvant, et un germe de SiC destiné à être utilisé dans un procédé de croissance dans un solvant. Le procédé de production d'un monocristal de SiC, conformément au présent mode de réalisation, est un procédé de production impliquant un procédé de croissance dans un solvant dans lequel le plan de croissance (80) du cristal d'un germe (8) de SiC (8) est mis en contact avec la solution (7) de Si-C et un monocristal de SiC est mis en croissance. Le procédé de production comporte une étape de préparation et une étape de mise en croissance. Lors de l'étape de préparation, une matière première est chauffée et fondue pour préparer la solution (7) de Si-C. Lors de l'étape de mise en croissance, le plan de croissance (80) du cristal est mis en contact avec la solution (7) de Si-C, et un monocristal de SiC est mis en croissance sur le plan de croissance (80) du cristal. Le plan de croissance (80) du cristal comprend uniquement une région parmi une région sans facette et une région à facettes (81). Le rapport de la différence de valeurs entre la valeur maximale et la valeur minimale par rapport à la valeur minimale de la concentration en azote à un emplacement de mesure spécifique dans le plan de croissance (80) du cristal du germe (8) de SiC est inférieur ou égal à 15 %.
(JA) 溶媒インクルージョンの発生を抑制できる、溶液成長法によるSiC単結晶の製造方法及び溶液成長法に用いるSiC種結晶を提供する。本実施形態によるSiC単結晶の製造方法は、SiC種結晶(8)の結晶成長面(80)をSi‐C溶液(7)に接触させてSiC単結晶を成長させる溶液成長法による製造方法である。製造方法は、準備工程と、成長工程とを備える。準備工程では、原料を加熱して溶融し、Si‐C溶液(7)を準備する。成長工程では、結晶成長面(80)をSi‐C溶液(7)に接触させ、結晶成長面(80)上にSiC単結晶を成長させる。結晶成長面(80)は非ファセット領域及びファセット領域(81)のいずれか一方のみからなる。SiC種結晶(8)の結晶成長面(80)中の特定の測定位置における、窒素濃度の最小値に対する最大値と最小値との差分値の割合は15%以下である。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)