Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2018061944) COMPOSITION DE RÉSINE SENSIBLE À LA LUMIÈRE OU AU RAYONNEMENT ACTIF, PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2018/061944 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/033951
Date de publication : 05.04.2018 Date de dépôt international : 20.09.2017
CIB :
G03F 7/038 (2006.01) ,G03F 7/039 (2006.01)
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
004
Matériaux photosensibles
038
Composés macromoléculaires rendus insolubles ou sélectivement mouillables
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
004
Matériaux photosensibles
039
Composés macromoléculaires photodégradables, p.ex. réserves positives sensibles aux électrons
Déposants :
富士フイルム株式会社 FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区西麻布2丁目26番30号 26-30, NISHIAZABU 2-chome, MINATO-KU, Tokyo 1068620, JP
Inventeurs :
椿 英明 TSUBAKI, Hideaki; JP
古谷 創 FURUTANI, Hajime; JP
金子 明弘 KANEKO, Akihiro; JP
二橋 亘 NIHASHI, Wataru; JP
平野 修史 HIRANO, Shuji; JP
Mandataire :
蔵田 昌俊 KURATA, Masatoshi; JP
野河 信久 NOGAWA, Nobuhisa; JP
河野 直樹 KOHNO, Naoki; JP
井上 正 INOUE, Tadashi; JP
Données relatives à la priorité :
2016-19177529.09.2016JP
Titre (EN) ACTIVE LIGHT SENSITIVE OR RADIATION SENSITIVE RESIN COMPOSITION, PATTERN FORMING METHOD AND METHOD FOR PRODUCING ELECTRONIC DEVICE
(FR) COMPOSITION DE RÉSINE SENSIBLE À LA LUMIÈRE OU AU RAYONNEMENT ACTIF, PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、パターン形成方法及び電子デバイスの製造方法
Abrégé :
(EN) Provided is an active light sensitive or radiation sensitive resin composition which contains (A) a resin that contains a repeating unit (a) represented by general formula (1), (B) a compound that generates an acid upon irradiation of active light or radiation, and (C) an organic solvent. This active light sensitive or radiation sensitive resin composition has a solid content concentration of 4% by mass or less. (In the formula, each of R11 and R12 independently represents a hydrogen atom, a halogen atom or a monovalent organic group; R13 represents a hydrogen atom, a halogen atom or a monovalent organic group, or alternatively represents a single bond or an alkylene group, which forms a ring by being bonded to L or Ar in the formula; L represents a single bond or a divalent linking group; Ar represents an aromatic ring group; and n represents an integer of 2 or more.)
(FR) L'invention concerne une composition de résine sensible à la lumière ou au rayonnement actif qui contient (A) une résine qui contient une unité de répétition (a) représentée par la formule générale (1), (B) un composé qui génère un acide lors de l'irradiation d'une lumière ou d'un rayonnement actif, et (C) un solvant organique. Cette composition de résine sensible à la lumière ou au rayonnement actif a une concentration de teneur en matière solide totale inférieure ou égale à 4 % en masse. (Dans la formule, chaque R11 et R12 représente indépendamment un atome d'hydrogène, un atome d'halogène ou un groupe organique monovalent ; R13 représente un atome d'hydrogène, un atome d'halogène ou un groupe organique monovalent, ou bien représente une liaison simple ou un groupe alkylène, qui forme un cycle en étant lié à L ou Ar dans la formule ; L représente une liaison simple ou un groupe de liaison divalent ; Ar représente un groupe cyclique aromatique ; et n représente un nombre entier supérieur ou égal à 2.)
(JA) (A)下記一般式(1)で表される繰り返し単位(a)を含む樹脂、(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、及び(C)有機溶剤を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物が提供される。上記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、固形分濃度が4質量%以下である。(式中、R11及びR12は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、又は1価の有機基を表す。R13は、水素原子、ハロゲン原子、又は1価の有機基を表すか、もしくは、単結合又はアルキレン基であり且つ式中のL又はArに結合して環を形成している。Lは、単結合又は2価の連結基を表す。Arは、芳香環基を表す。nは、2以上の整数を表す。) 
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)