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1. (WO2018061819) FILM SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE MICRO-CRISTALLIN, TRANSISTOR À SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANSISTOR À SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE
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N° de publication :    WO/2018/061819    N° de la demande internationale :    PCT/JP2017/033407
Date de publication : 05.04.2018 Date de dépôt international : 15.09.2017
CIB :
H01L 51/40 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01), H01L 51/05 (2006.01), H01L 51/30 (2006.01)
Déposants : FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620 (JP)
Inventeurs : GOTO, Takashi; (JP).
FUKUZAKI, Eiji; (JP).
WATANABE, Tetsuya; (JP)
Mandataire : IIDA & PARTNERS; ISHII Bldg. 3F, 1-10, Shimbashi 3-chome, Minato-ku, Tokyo 1050004 (JP).
IIDA, Toshizo; (JP).
AKABA, Shuichi; (JP)
Données relatives à la priorité :
2016-191913 29.09.2016 JP
Titre (EN) MICROCRYSTALLINE ORGANIC SEMICONDUCTOR FILM, ORGANIC SEMICONDUCTOR TRANSISTOR, AND METHOD FOR PRODUCING ORGANIC SEMICONDUCTOR TRANSISTOR
(FR) FILM SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE MICRO-CRISTALLIN, TRANSISTOR À SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANSISTOR À SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE
(JA) 微結晶有機半導体膜、有機半導体トランジスタ、及び有機半導体トランジスタの製造方法
Abrégé : front page image
(EN)[Problem] To provide: an organic semiconductor film which is capable of effectively inhibiting the formation and expansion of cracks, even if patterned or exposed to high heat; an organic semiconductor transistor in which the organic semiconductor film is used; and a method for producing the organic semiconductor transistor. [Solution] Provided are: a microcrystalline organic semiconductor film including a compound which has a molecular weight of 3000 or lower, and which is represented by general formula (1), the size of crystal domains in said microcrystalline organic semiconductor film being at least 1 nm, but not more than 100 nm; an organic semiconductor transistor in which the organic semiconductor film is used; and a method for producing the organic semiconductor transistor. X, Y, and Z represent specific ring-forming atoms. R1 and R2 each represent hydrogen, an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an aryl group, or a heteroaryl group. R3 and R4 each represent a halogen, an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an aryl group, or a heteroaryl group. m and n are integers in the range of 0-2.
(FR)La présente invention a pour but de fournir : un film semi-conducteur organique qui puisse inhiber efficacement la formation et l'expansion de fissures, même s'il est structuré ou exposé à une chaleur élevée ; un transistor à semi-conducteur organique dans lequel est utilisé le film semi-conducteur organique ; un procédé de fabrication du transistor à semi-conducteur organique. Pour atteindre ce but, la présente invention concerne : un film semi-conducteur organique micro-cristallin qui comprend un composé ayant un poids moléculaire de 3000 ou moins, et qui est représenté par la formule générale (1), la taille des domaines cristallins dans ledit film semi-conducteur organique micro-cristallin étant d'au moins 1 nm, mais non supérieure à 100 nm ; un transistor à semi-conducteur organique dans lequel est utilisé le film semi-conducteur organique ; un procédé de fabrication du transistor à semi-conducteur organique. X, Y et Z représentent des atomes formant un cycle spécifique. R1 et R2 représentent chacun de l'hydrogène, un groupe alkyle, un groupe alcényle, un groupe alcynyle, un groupe aryle ou un groupe hétéro-aryle. R3 et R4 représentent chacun un halogène, un groupe alkyle, un groupe alcényle, un groupe alcynyle, un groupe aryle ou un groupe hétéro-aryle. M et n sont des nombres entiers dans la plage de 0 à 2.
(JA)【課題】 パターニングされても、また高熱に曝されても、亀裂の発生ないしは亀裂の広がりを効果的に抑えることができる有機半導体膜、この有機半導体膜を用いた有機半導体トランジスタ、及びこの有機半導体トランジスタの製造方法を提供する。 【解決手段】 下記一般式(1)で表わされる分子量3000以下の化合物を含み、結晶ドメインのサイズが1nm以上100nm以下にある微結晶有機半導体膜、この有機半導体膜を用いた有機半導体トランジスタ、及びこの有機半導体トランジスタの製造方法。 X、Y及びZは特定の環構成原子を示す。R及びRは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基又はヘテロアリール基を、R及びRはハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基又はヘテロアリール基を示す。m及びnは0~2の整数である。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)