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1. (WO2018061544) PROCÉDÉ D'EXPOSITION DE PROXIMITÉ
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N° de publication : WO/2018/061544 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/030198
Date de publication : 05.04.2018 Date de dépôt international : 23.08.2017
CIB :
G03F 7/20 (2006.01) ,G03F 1/42 (2012.01)
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
20
Exposition; Appareillages à cet effet
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
1
Originaux pour la production par voie photomécanique de surfaces texturées, p.ex. masques, photomasques ou réticules; Masques vierges ou pellicules à cet effet; Réceptacles spécialement adaptés à ces originaux; Leur préparation
38
Masques à caractéristiques supplémentaires, p.ex. marquages pour l'alignement ou les tests, ou couches particulières; Leur préparation
42
Aspects liés à l'alignement ou au cadrage, p.ex. marquages d'alignement sur le substrat du masque
Déposants :
株式会社ブイ・テクノロジー V TECHNOLOGY CO., LTD. [JP/JP]; 神奈川県横浜市保土ヶ谷区神戸町134番地 134, Godo-cho, Hodogaya-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 2400005, JP
Inventeurs :
富樫 工 TOGASHI Takumi; JP
原田 智紀 HARADA Tomonori; JP
Mandataire :
特許業務法人栄光特許事務所 EIKOH PATENT FIRM, P.C.; 東京都港区西新橋一丁目7番13号 虎ノ門イーストビルディング10階 Toranomon East Bldg. 10F, 7-13, Nishi-Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050003, JP
Données relatives à la priorité :
2016-19498130.09.2016JP
Titre (EN) PROXIMITY EXPOSURE METHOD
(FR) PROCÉDÉ D'EXPOSITION DE PROXIMITÉ
(JA) プロキシミティ露光方法
Abrégé :
(EN) Disclosed is a proximity exposure method wherein: a mask (M), in which mask patterns (31) larger than the resolution limit of a resist (R) are formed, is prepared with respect to a resist pattern (43) having the smallest pitch (P) that is equal to or smaller than the resolution limit of the resist (R); in a first exposure step, after the mask patterns (31) are transferred to a workpiece (W) by means of exposure, the mask (M) and the workpiece (W) are relatively step-moved by the pitch (P) of the resist pattern (43); and in a second exposure step, the mask patterns (31) are transferred again to the workpiece (W) by means of exposure.
(FR) L'invention concerne un procédé d'exposition de proximité comprenant : un masque (M), dans lequel des motifs de masque (31) supérieurs à la limite de résolution d'une réserve (R) sont formés, est préparé par rapport à un motif de réserve (43) possédant le plus petit pas (P) qui est égal ou inférieur à la limite de résolution de la réserve (R) ; dans une première étape d'exposition, après que les motifs de masque (31) sont transférés vers une pièce à travailler (W) au moyen d'une exposition, le masque (M) et la pièce à travailler (W) sont déplacés l'un par rapport à l'autre par le pas (P) du motif de réserve (43) ; et dans une seconde étape d'exposition, les motifs de masque (31) sont à nouveau transférés vers la pièce à travailler (W) au moyen d'une exposition.
(JA) プロキシミティ露光方法は、レジスト(R)の解像限界以下である最小ピッチ(P)を有するレジストパターン(43)に対して、レジスト(R)の解像限界より大きいマスクパターン(31)が形成されるマスク(M)を準備し、第1露光工程でマスクパターン(31)をワーク(W)に露光転写した後、マスク(M)とワーク(W)とをレジストパターン(43)のピッチ(P)分だけ相対的にステップ移動させて、第2露光工程でマスクパターン(31)をワーク(W)に再度露光転写する。
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Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)