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1. (WO2018058522) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN TRANSISTOR À COUCHES MINCES, ET SUBSTRAT DE RÉSEAU

Pub. No.:    WO/2018/058522    International Application No.:    PCT/CN2016/101072
Publication Date: Fri Apr 06 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Sat Oct 01 01:59:59 CEST 2016
IPC: H01L 21/77
H01L 27/12
H01L 29/786
Applicants: SHENZHEN ROYOLE TECHNOLOGIES CO., LTD.
深圳市柔宇科技有限公司
Inventors: YE, Jiangbo
叶江波
Title: PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN TRANSISTOR À COUCHES MINCES, ET SUBSTRAT DE RÉSEAU
Abstract:
L'invention concerne un transistor à couches minces et son procédé de fabrication. Le procédé consiste à : former de façon séquentielle une électrode de grille, une couche d'isolation de grille et une couche semi-conductrice à oxyde sur un substrat; former une couche de matériau de résine photosensible sur la couche semi-conductrice à oxyde, et réaliser un processus de masquage simili ou un processus de masquage en ton gris sur la couche de matériau de résine photosensible pour former une première couche de résine photosensible, la première couche de résine photosensible ayant une première région ayant une première épaisseur et une seconde région ayant une seconde épaisseur, et la seconde région étant située au niveau de deux côtés de la première région; éliminer la seconde région pour exposer la couche semi-conductrice à oxyde au-dessous de la seconde région; éliminer une épaisseur partielle de la couche semi-conductrice à oxyde au-dessous de la seconde région, une première partie d'épaisseur de la couche semi-conductrice à oxyde étant égale à une seconde partie d'épaisseur de la couche semi-conductrice à oxyde; et former une couche métallique sur la couche semi-conductrice à oxyde et la couche d'isolation de grille et former des motifs sur celle-ci, et former une électrode de source, une électrode de drain et une région de canal.