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1. (WO2018057309) DISPOSITIF RF À COUPLAGE DE SUBSTRAT RÉDUIT
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N° de publication :    WO/2018/057309    N° de la demande internationale :    PCT/US2017/050552
Date de publication : 29.03.2018 Date de dépôt international : 07.09.2017
CIB :
H01L 21/84 (2006.01), H01L 21/762 (2006.01), H01L 21/764 (2006.01), H01L 27/12 (2006.01)
Déposants : QUALCOMM INCORPORATED [US/US]; ATTN: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121-1714 (US)
Inventeurs : GOKTEPELI, Sinan; (US)
Mandataire : HALLMAN, Jonathan W.; (US)
Données relatives à la priorité :
15/272,335 21.09.2016 US
Titre (EN) RF DEVICE WITH REDUCED SUBSTRATE COUPLING
(FR) DISPOSITIF RF À COUPLAGE DE SUBSTRAT RÉDUIT
Abrégé : front page image
(EN)A substrate is provided with at least one etch stop layer to line a cavity after etching of the substrate. The cavity isolates the substrate from an active layer including a plurality of transistors.
(FR)Un substrat est pourvu d'au moins une couche d'arrêt de gravure pour aligner une cavité après la gravure du substrat. La cavité isole le substrat d'une couche active comprenant une pluralité de transistors.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)