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1. (WO2018053487) PROCÉDÉ DE RETRAIT IN SITU DE MASQUE DUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2018/053487 N° de la demande internationale : PCT/US2017/052222
Date de publication : 22.03.2018 Date de dépôt international : 19.09.2017
CIB :
H01L 21/033 (2006.01) ,H01L 21/311 (2006.01) ,H01J 37/32 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED[JP/JP]; Akasaka Biz Tower 3-1 Akasaka 5-1 Chome, Minato-ku Tokyo, 107-6325, JP
TOKYO ELECTRON U.S. HOLDINGS, INC.[US/US]; 2400 Grove Boulevard Austin, TX 78741, US (JP)
Inventeurs : TALONE, Christopher; US
NOLAN, Andrew; US
WANG, Mingmei; US
RANJAN, Alok; US
Mandataire : DAVIDSON, Kristi L.; US
AHRENS, Gregory, F.; US
ARDIZZONE, Timothy, D.; US
BELLAMY, Glenn, D.; US
BENINTENDI, Steven, W.; US
Données relatives à la priorité :
62/396,68819.09.2016US
Titre (EN) METHOD OF IN SITU HARD MASK REMOVAL
(FR) PROCÉDÉ DE RETRAIT IN SITU DE MASQUE DUR
Abrégé : front page image
(EN) Systems and methods for in situ hard mask removal are described. In an embodiment, a method includes receiving a semiconductor workpiece (400) comprising a substrate, an intermediary layer (402), a hard mask layer (404), and a photoresist layer (406) in an etch chamber (210). The method may also include etching the hard mask layer (404) to open a region left exposed by the photoresist layer (406). Additionally, such an embodiment may include etching the intermediary layer (402) in a region left exposed by the hard mask layer (404). The method may also include removing the hard mask layer (404). In such embodiments, etching the hard mask layer (404), etching the intermediary layer (402), and removing the hard mask layer (404) are performed in the etch chamber (210), and without the wafer being removed from the etch chamber (210).
(FR) L'invention concerne des systèmes et des procédés de retrait in situ de masque dur. Dans un mode de réalisation, un procédé consiste à recevoir une pièce semi-conductrice (400) comprenant un substrat, une couche intermédiaire (402), une couche de masque dur (404), et une couche de résine photosensible (406) dans une chambre de gravure (210). Le procédé peut également consister à graver la couche de masque dur (404) pour ouvrir une région laissée exposée par la couche de résine photosensible (406). De plus, un tel mode de réalisation peut consister à graver la couche intermédiaire (402) dans une région laissée exposée par la couche de masque dur (404). Le procédé peut également consister à retirer la couche de masque dur (404). Dans de tels modes de réalisation, la gravure de la couche de masque dur (404), la gravure de la couche intermédiaire (402), et le retrait de la couche de masque dur (404) sont effectués dans la chambre de gravure (210), et sans que la tranche ne soit retirée de la chambre de gravure (210).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)