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1. (WO2018052474) SYSTÈME DE RAYONNEMENT UV ET PROCÉDÉ DE COMMANDE DE DÉGAZAGE D'ARSENIC POUR LA FABRICATION DE CMOS SOUS 7 NM

Pub. No.:    WO/2018/052474    International Application No.:    PCT/US2017/015276
Publication Date: Fri Mar 23 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Sat Jan 28 00:59:59 CET 2017
IPC: H01L 21/02
H01L 21/324
H01L 21/67
H01L 21/8238
Applicants: APPLIED MATERIALS, INC.
Inventors: YAN, Chun
BAO, Xinyu
CHUNG, Hua
CHU, Schubert S.
Title: SYSTÈME DE RAYONNEMENT UV ET PROCÉDÉ DE COMMANDE DE DÉGAZAGE D'ARSENIC POUR LA FABRICATION DE CMOS SOUS 7 NM
Abstract:
Selon certains modes de réalisation, la présente invention concerne des procédés de commande de dégazage de substrat de gaz dangereux après un traitement épitaxial. Selon un mode de réalisation, le procédé consiste à placer un substrat comprenant une couche épitaxiale dans une chambre de transfert, la chambre de transfert comportant un module de lampe ultraviolette (UV) disposé adjacent à un plafond supérieur de la chambre de transfert, à provoquer l'écoulement d'un gaz contenant de l'oxygène dans la chambre de transfert à travers une conduite de gaz de la chambre de transfert, à provoquer l'écoulement d'un gaz non réactif dans la chambre de transfert à travers la conduite de gaz de la chambre de transfert, à activer le module de lampe UV à des fins d'oxydation de résidus ou d'espèces sur une surface du substrat de façon à former une couche barrière de dégazage sur la surface du substrat, à interrompre l'écoulement du gaz contenant de l'oxygène et du gaz contenant de l'azote dans la chambre de transfert, à pomper la chambre de transfert et à désactiver le module de lampe UV.