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1. WO2018051226 - DÉTECTEUR DE PARTICULES POUVANT SÉPARER DES SIGNAUX À TEMPS DE SIGNAUX HORS TEMPS

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Numéro de publication WO/2018/051226
Date de publication 22.03.2018
N° de la demande internationale PCT/IB2017/055480
Date du dépôt international 12.09.2017
CIB
H01L 31/115 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
08dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers le dispositif, p.ex. photo-résistances
10caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. photo-transistors
115Dispositifs sensibles au rayonnement d'ondes très courtes, p.ex. rayons X, rayons gamma ou rayonnement corpusculaire
CPC
H01L 31/022408
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02Details
0224Electrodes
022408for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
H01L 31/028
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
0248characterised by their semiconductor bodies
0256characterised by the material
0264Inorganic materials
028including, apart from doping material or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic System
H01L 31/115
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
08in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
10characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. phototransistors
115Devices sensitive to very short wavelength, e.g. X-rays, gamma-rays or corpuscular radiation
H01L 31/118
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
08in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
10characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. phototransistors
115Devices sensitive to very short wavelength, e.g. X-rays, gamma-rays or corpuscular radiation
118of the surface barrier or shallow PN junction detector type, e.g. surface barrier alpha-particle detectors
Déposants
  • ISTITUTO NAZIONALE DI FISICA NUCLEARE [IT]/[IT]
Inventeurs
  • CARTIGLIA, Nicolò
  • DALLA BETTA, Gian Franco
  • PANCHERI, Lucio
  • BOSCARDIN, Maurizio
  • PATERNOSTER, Giovanni
Mandataires
  • VANZINI, Christian
  • JACOBACCI, Guido
  • QUINTERNO, Giuseppe
  • RAMBELLI, Paolo
  • GERBINO, Angelo
  • FIORAVANTI, Corrado
  • DEAMBROGI, Edgardo
  • COMOGLIO, Elena
  • RONDANO, Davide
Données relatives à la priorité
10201600009243014.09.2016IT
Langue de publication Anglais (en)
Langue de dépôt italien (IT)
États désignés
Titre
(EN) A PARTICLE DETECTOR CAPABLE OF SEPARATING IN-TIME SIGNALS FROM OUT-OF-TIME SIGNALS
(FR) DÉTECTEUR DE PARTICULES POUVANT SÉPARER DES SIGNAUX À TEMPS DE SIGNAUX HORS TEMPS
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Abrégé
(EN) Silicon Particle Detector, comprising an absorption region (10) capable of generating electrical charges in response to a particle passing therethrough, a first and a second electrode (20, 30) arranged on opposite sides of the absorption region (10), wherein the first electrode (20) is segmented into a plurality of pads (20a), and a plurality of multiplication layers (40) able to avalanche-multiply the electric charges generated in the absorption region (10), each of the multiplication layers (40) being arranged beneath a respective pad (20a) and interposed between it and the absorption region (10), each multiplication layer (40) is surrounded by a respective protection ring ( 50) formed by the material of the pad (20a). The protection ring (50) is laterally interposed between the multiplication layer (40) and the absorption region (10).
(FR) L'invention concerne un détecteur de particules de silicium comprenant une région d'absorption (10) pouvant générer des charges électriques en réponse à une particule passant à travers cette dernière, une première et une seconde électrode (20, 30) agencées sur des côtés opposés de la région d'absorption (10), la première électrode (20) étant segmentée en une pluralité de plages (20a), et une pluralité de couches de multiplication (40) aptes à multiplier par avalanche les charges électriques générées dans la région d'absorption (10), chacune des couches de multiplication (40) étant agencée sous un tampon respectif (20a) et interposée entre ce dernier et la région d'absorption (10), chaque couche de multiplication (40) étant entourée par un anneau de protection respectif (50) formé par le matériau du tampon (20a). L'anneau de protection (50) est interposé latéralement entre la couche de multiplication (40) et la région d'absorption (10).
Documents de brevet associés
IT201600092430
US20190198704
EP3513441
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international
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