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1. (WO2018051226) DÉTECTEUR DE PARTICULES POUVANT SÉPARER DES SIGNAUX À TEMPS DE SIGNAUX HORS TEMPS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2018/051226 N° de la demande internationale : PCT/IB2017/055480
Date de publication : 22.03.2018 Date de dépôt international : 12.09.2017
CIB :
H01L 31/115 (2006.01)
Déposants : ISTITUTO NAZIONALE DI FISICA NUCLEARE[IT/IT]; Via E. Fermi 40 00044 FRASCATI (Roma), IT
Inventeurs : CARTIGLIA, Nicolò; IT
DALLA BETTA, Gian Franco; IT
PANCHERI, Lucio; IT
BOSCARDIN, Maurizio; IT
PATERNOSTER, Giovanni; IT
Mandataire : VANZINI, Christian; IT
JACOBACCI, Guido; IT
QUINTERNO, Giuseppe; IT
RAMBELLI, Paolo; IT
GERBINO, Angelo; IT
FIORAVANTI, Corrado; IT
DEAMBROGI, Edgardo; IT
COMOGLIO, Elena; IT
RONDANO, Davide; IT
Données relatives à la priorité :
10201600009243014.09.2016IT
Titre (EN) A PARTICLE DETECTOR CAPABLE OF SEPARATING IN-TIME SIGNALS FROM OUT-OF-TIME SIGNALS
(FR) DÉTECTEUR DE PARTICULES POUVANT SÉPARER DES SIGNAUX À TEMPS DE SIGNAUX HORS TEMPS
Abrégé : front page image
(EN) Silicon Particle Detector, comprising an absorption region (10) capable of generating electrical charges in response to a particle passing therethrough, a first and a second electrode (20, 30) arranged on opposite sides of the absorption region (10), wherein the first electrode (20) is segmented into a plurality of pads (20a), and a plurality of multiplication layers (40) able to avalanche-multiply the electric charges generated in the absorption region (10), each of the multiplication layers (40) being arranged beneath a respective pad (20a) and interposed between it and the absorption region (10), each multiplication layer (40) is surrounded by a respective protection ring ( 50) formed by the material of the pad (20a). The protection ring (50) is laterally interposed between the multiplication layer (40) and the absorption region (10).
(FR) L'invention concerne un détecteur de particules de silicium comprenant une région d'absorption (10) pouvant générer des charges électriques en réponse à une particule passant à travers cette dernière, une première et une seconde électrode (20, 30) agencées sur des côtés opposés de la région d'absorption (10), la première électrode (20) étant segmentée en une pluralité de plages (20a), et une pluralité de couches de multiplication (40) aptes à multiplier par avalanche les charges électriques générées dans la région d'absorption (10), chacune des couches de multiplication (40) étant agencée sous un tampon respectif (20a) et interposée entre ce dernier et la région d'absorption (10), chaque couche de multiplication (40) étant entourée par un anneau de protection respectif (50) formé par le matériau du tampon (20a). L'anneau de protection (50) est interposé latéralement entre la couche de multiplication (40) et la région d'absorption (10).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : italien (IT)