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1. (WO2018047066) MONOCRISTAUX MINCES DE PÉROVSKITE D'HALOGÉNURE D'ORGANO-PLOMB
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N° de publication : WO/2018/047066 N° de la demande internationale : PCT/IB2017/055346
Date de publication : 15.03.2018 Date de dépôt international : 05.09.2017
CIB :
H01L 51/30 (2006.01)
Déposants : KING ABDULLAH UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY[SA/SA]; 4700 King Abdullah University of Science and Technology Thuwal, 23955-6900, SA
Inventeurs : YU, Weili; SA
AMASSIAN, Aram; SA
YU, Liyang; SA
Données relatives à la priorité :
62/384,80608.09.2016US
Titre (EN) ORGANO-LEAD HALIDE PEROVSKITES THIN SINGLE CRYSTALS
(FR) MONOCRISTAUX MINCES DE PÉROVSKITE D'HALOGÉNURE D'ORGANO-PLOMB
Abrégé : front page image
(EN) Embodiments of the present disclosure describe a method of fabricating a semiconducting material, comprising fixing a first substrate to a second substrate via a bonding material sufficient to form a two-substrate support with a cavity region, applying an organo-lead halide perovskite precursor solution to the cavity region of the two-substrate support, and annealing sufficient to form in the cavity region a semiconducting material including an organo-lead halide perovskite thin single crystal. Embodiments of the present disclosure further describe a transistor comprising a source terminal, a drain terminal, a channel layer extending between the source terminal and the drain terminal and including an organo-lead halide perovskite thin single crystal, a gate terminal, and an insulating layer separating the gate terminal from the source terminal, drain terminal, and channel layer sufficient to form a transistor.
(FR) Des modes de réalisation de la présente invention concernent un procédé de fabrication d'un matériau semi-conducteur consistant : à fixer un premier substrat à un second substrat par l'intermédiaire d'un matériau de liaison suffisant à la formation d'un support à deux substrats présentant une région de cavité ; à appliquer une solution de précurseur de pérovskite d'halogénure d'organo-plomb à la région de cavité du support à deux substrats ; et à effectuer un recuit suffisant à la formation, dans la région de cavité, d'un matériau semi-conducteur comprenant un monocristal mince de pérovskite d'halogénure d'organo-plomb. Des modes de réalisation de la présente invention concernent en outre un transistor pourvu d'une borne de source, d'une borne de drain, d'une couche de canal qui s'étend entre la borne de source et la borne de drain et qui comprend un monocristal de pérovskite d'halogénure d'organo-plomb, d'une borne de grille, et d'une couche isolante séparant la borne de grille de la borne de source, de la borne de drain et de la couche de canal suffisant à la formation d'un transistor.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)