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1. (WO2018042877) APPAREIL DE CROISSANCE EN PHASE VAPEUR, PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE TRANCHE ÉPITAXIALE, ET FIXATION POUR APPAREIL DE CROISSANCE EN PHASE VAPEUR

Pub. No.:    WO/2018/042877    International Application No.:    PCT/JP2017/024822
Publication Date: Fri Mar 09 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Fri Jul 07 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 21/205
C23C 16/455
Applicants: SHIN-ETSU HANDOTAI CO.,LTD.
信越半導体株式会社
Inventors: OHNISHI, Masato
大西 理
Title: APPAREIL DE CROISSANCE EN PHASE VAPEUR, PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE TRANCHE ÉPITAXIALE, ET FIXATION POUR APPAREIL DE CROISSANCE EN PHASE VAPEUR
Abstract:
Un appareil de croissance en phase vapeur 1 est pourvu : d'un four de réaction 2; de multiples canaux d'écoulement 16a; d'un capuchon 14; et d'une fixation 15. Le four de réaction 2 a une entrée 8a à travers laquelle un gaz de croissance en phase vapeur est introduit, et utilise le gaz de croissance en phase vapeur pour faire croître une couche épitaxiale sur un substrat W les multiples canaux d'écoulement 16a s'étendent depuis l'entrée 8a vers l'extérieur de l'entrée 8a, et introduit le gaz de croissance en phase vapeur dans le four de réaction 2. Le capuchon 14 a un canal d'introduction 14a qui est destiné à introduire un matériau gazeux vers les multiples canaux d'écoulement 16a. La fixation 15 a un canal de dérivation 15a qui peut être relié au canal d'introduction 14a, et est monté sur le capuchon 14. Le canal de dérivation 15a est relié au canal d'introduction 14a lorsque la fixation 15 est montée sur le capuchon 14, et est configuré pour s'étendre dans un motif d'extraction de tournoi d'éjection de façon à correspondre aux multiples canaux d'écoulement 16a, depuis le canal d'introduction 14a en aval vers la direction du matériau gazeux de façon à être connecté aux canaux d'écoulement respectifs 16a. Cette configuration fournit un appareil de croissance en phase vapeur qui permet d'améliorer, d'une manière rentable, l'uniformité de l'épaisseur de film d'une couche épitaxiale devant être développée sur un substrat.