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1. (WO2018040588) ÉLÉMENT MAGNÉTRON ET APPAREIL DE PULVÉRISATION MAGNÉTRON
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N° de publication : WO/2018/040588 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/081325
Date de publication : 08.03.2018 Date de dépôt international : 21.04.2017
CIB :
H01J 25/50 (2006.01) ,H01J 37/34 (2006.01) ,C23C 14/35 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
J
TUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
25
Tubes à temps de transit, p.ex. klystrons, tubes à ondes progressives, magnétrons
50
Magnétrons, c. à d. tubes comprenant un système magnétique produisant un champ H qui croise le champ E
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
J
TUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
37
Tubes à décharge pourvus de moyens permettant l'introduction d'objets ou d'un matériau à exposer à la décharge, p.ex. pour y subir un examen ou un traitement
32
Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
34
fonctionnant par pulvérisation cathodique
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14
Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
22
caractérisé par le procédé de revêtement
34
Pulvérisation cathodique
35
par application d'un champ magnétique, p.ex. pulvérisation au moyen d'un magnétron
Déposants :
北京北方华创微电子装备有限公司 BEIJING NAURA MICROELECTRONICS EQUIPMENT CO., LTD. [CN/CN]; 中国北京市 北京经济技术开发区文昌大道8号 No. 8 Wenchang Avenue Beijing Economic-Technological Development Area Beijing 100176, CN
Inventeurs :
杨玉杰 YANG, Yujie; CN
Mandataire :
北京天昊联合知识产权代理有限公司 TEE & HOWE INTELLECTUAL PROPERTY ATTORNEYS; 中国北京市 东城区建国门内大街28号民生金融中心D座10层张天舒 Tianshu ZHANG 10th Floor, Tower D, Minsheng Financial Center, 28 Jianguomennei Avenue, Dongcheng District Beijing 100005, CN
Données relatives à la priorité :
201610779067.930.08.2016CN
Titre (EN) MAGNETRON ELEMENT AND MAGNETRON SPUTTERING APPARATUS
(FR) ÉLÉMENT MAGNÉTRON ET APPAREIL DE PULVÉRISATION MAGNÉTRON
(ZH) 一种磁控元件和磁控溅射装置
Abrégé :
(EN) Disclosed are a magnetron element and a magnetron sputtering apparatus. The magnetron element comprises a closed magnetron (1) and a non-closed magnetron (2). A closed plasma path (13) is formed between an inner magnetic pole (11) and an outer magnetic pole (12) of the closed magnetron. A non-closed plasma path (23) is formed between a first magnetic pole (21) and a second magnetic pole (22) of the non-closed magnetron. The closed plasma path and the non-closed plasma path are at least correspondingly located in a radius region from a target centre to a target edge; and the sum of the effective extension length of the closed plasma path in a target radial direction and the effective extension length of the non-closed plasma path in the target radial direction is greater than or equal to the radius of the target. The magnetron element can achieve whole target corrosion of the target, and avoid the presence of particles in a central region of the target, thereby improving the utilization rate of the target, further improving the ionization rate of a metal target during a sputtering process, and at the same time, improving the filling effect of through holes on a wafer.
(FR) L'invention concerne un élément magnétron et un appareil de pulvérisation magnétron. L'élément magnétron comprend un magnétron fermé (1) et un magnétron non fermé (2). Un trajet de plasma fermé (13) est formé entre un pôle magnétique interne (11) et un pôle magnétique externe (12) du magnétron fermé. Un trajet de plasma non fermé (23) est formé entre un premier pôle magnétique (21) et un second pôle magnétique (22) du magnétron non fermé. Le trajet de plasma fermé et le trajet de plasma non fermé sont situés au moins de manière correspondante dans une région de rayon d'un centre cible à un bord cible; et la somme de la longueur d'extension effective du trajet de plasma fermé dans une direction radiale cible et la longueur d'extension effective du trajet de plasma non fermé dans la direction radiale cible est supérieure ou égale au rayon de la cible. L'élément magnétron peut obtenir une corrosion cible entière de la cible, et évite la présence de particules dans une région centrale de la cible, ce qui permet d'améliorer le taux d'utilisation de la cible, améliore davantage le taux d'ionisation d'une cible métallique pendant un processus de pulvérisation, et en même temps, améliorer l'effet de remplissage de trous traversants sur une tranche.
(ZH) 一种磁控元件和磁控溅射装置。磁控元件包括闭合磁控管(1)和非闭合磁控管(2),闭合磁控管的内磁极(11)和外磁极(12)之间组成闭合的等离子体路径(13),非闭合磁控管的第一磁极(21)和第二磁极(22)之间组成非闭合的等离子体路径(23),闭合的等离子体路径和非闭合的等离子体路径至少对应位于靶材的中心到靶材的边缘的半径区域,且闭合的等离子体路径在靶材径向上的有效延伸长度和非闭合的等离子体路径在靶材径向上的有效延伸长度之和大于等于靶材的半径。磁控元件能够实现靶材的全靶腐蚀,避免靶材的中心区域出现颗粒,提高靶材的利用率;还能提高溅射过程中金属靶材的离化率;同时提高晶片上通孔的填充效果。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)