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1. WO2018038892 - TRAITEMENT DE PLAQUETTE SEMI-CONDUCTRICE AUTORÉPARATEUR

Numéro de publication WO/2018/038892
Date de publication 01.03.2018
N° de la demande internationale PCT/US2017/045348
Date du dépôt international 03.08.2017
CIB
H01L 21/66 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
66Test ou mesure durant la fabrication ou le traitement
H01L 21/67 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
67Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
CPC
H01L 22/12
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
22Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
10Measuring as part of the manufacturing process
12for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
H01L 22/20
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
22Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
20Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
H01L 22/26
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
22Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
20Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
26Acting in response to an ongoing measurement without interruption of processing, e.g. endpoint detection, in-situ thickness measurement
Déposants
  • APPLIED MATERIALS, INC. [US]/[US]
Inventeurs
  • KHAJA, Abdul Aziz
Mandataires
  • PATTERSON, B. Todd
  • VER STEEG, Steven H.
Données relatives à la priorité
62/380,25426.08.2016US
Langue de publication Anglais (en)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) SELF-HEALING SEMICONDUCTOR WAFER PROCESSING
(FR) TRAITEMENT DE PLAQUETTE SEMI-CONDUCTRICE AUTORÉPARATEUR
Abrégé
(EN) Implementations of the present disclosure generally relate to methods for processing substrates, and more particularly, to methods for predicting, quantifying and correcting process drift. In one implementation, the method includes performing a design of experiments (DOE) in a process chamber to obtain senor readings and film properties at multiple locations on a substrate for every adjustable process control change associated with the process chamber, building a regression model for each location on the substrate using the sensor readings and film properties obtained from the DOE, tracking changes in sensor readings during production, identifying drifting in sensor readings that can lead to a change in film properties using the regression model, and adjusting one or more process controls to correct the drifting in sensor readings to minimize the change in film properties.
(FR) Des modes de réalisation de la présente invention concernent généralement des procédés de traitement de substrats et, plus particulièrement, des procédés de prédiction, de quantification et de correction de dérive de processus. Dans un mode de réalisation, le procédé comprend la conduite d’une conception d’essais (DOE) dans une chambre de traitement pour obtenir des lectures de capteur et des propriétés de film à des emplacements multiples sur un substrat pour chaque changement de commande de processus réglable associé à la chambre de traitement, la construction d’un modèle de régression pour chaque emplacement sur le substrat au moyen des lectures de capteur et des propriétés de film obtenues à partir de la DOE, le suivi de changements des lectures de capteur pendant la production, l’identification de la dérive dans des lectures de capteur qui peuvent conduire à un changement des propriétés de film au moyen du modèle de régression, et l’ajustement d’une ou plusieurs commandes de processus pour corriger la dérive des lectures de capteur afin de réduire au minimum le changement des propriétés de film.
Documents de brevet associés
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