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1. (WO2018038892) TRAITEMENT DE PLAQUETTE SEMI-CONDUCTRICE AUTORÉPARATEUR
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N° de publication : WO/2018/038892 N° de la demande internationale : PCT/US2017/045348
Date de publication : 01.03.2018 Date de dépôt international : 03.08.2017
CIB :
H01L 21/66 (2006.01) ,H01L 21/67 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
66
Essai ou mesure durant la fabrication ou le traitement
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
67
Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
Déposants :
APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs :
KHAJA, Abdul Aziz; US
Mandataire :
PATTERSON, B. Todd; US
VER STEEG, Steven H.; US
Données relatives à la priorité :
62/380,25426.08.2016US
Titre (EN) SELF-HEALING SEMICONDUCTOR WAFER PROCESSING
(FR) TRAITEMENT DE PLAQUETTE SEMI-CONDUCTRICE AUTORÉPARATEUR
Abrégé :
(EN) Implementations of the present disclosure generally relate to methods for processing substrates, and more particularly, to methods for predicting, quantifying and correcting process drift. In one implementation, the method includes performing a design of experiments (DOE) in a process chamber to obtain senor readings and film properties at multiple locations on a substrate for every adjustable process control change associated with the process chamber, building a regression model for each location on the substrate using the sensor readings and film properties obtained from the DOE, tracking changes in sensor readings during production, identifying drifting in sensor readings that can lead to a change in film properties using the regression model, and adjusting one or more process controls to correct the drifting in sensor readings to minimize the change in film properties.
(FR) Des modes de réalisation de la présente invention concernent généralement des procédés de traitement de substrats et, plus particulièrement, des procédés de prédiction, de quantification et de correction de dérive de processus. Dans un mode de réalisation, le procédé comprend la conduite d’une conception d’essais (DOE) dans une chambre de traitement pour obtenir des lectures de capteur et des propriétés de film à des emplacements multiples sur un substrat pour chaque changement de commande de processus réglable associé à la chambre de traitement, la construction d’un modèle de régression pour chaque emplacement sur le substrat au moyen des lectures de capteur et des propriétés de film obtenues à partir de la DOE, le suivi de changements des lectures de capteur pendant la production, l’identification de la dérive dans des lectures de capteur qui peuvent conduire à un changement des propriétés de film au moyen du modèle de régression, et l’ajustement d’une ou plusieurs commandes de processus pour corriger la dérive des lectures de capteur afin de réduire au minimum le changement des propriétés de film.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)