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1. (WO2018036599) CONVERTISSEUR D'ÉNERGIE THERMIQUE AMBIANTE EN ÉNERGIE ÉLECTRIQUE
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N° de publication :    WO/2018/036599    N° de la demande internationale :    PCT/EA2017/000003
Date de publication : 01.03.2018 Date de dépôt international : 26.04.2017
CIB :
H01L 37/00 (2006.01)
Déposants : OBSHCHESTVO S OGRANICHENNOY OTVETSTVENNOSTYU "CONSTANTA" [RU/RU]; ul. Marshala Govorova, 29 liter O St.Petersburg, 198097 (RU)
Inventeurs : GERMANOVICH, Oleg Panteleymonovich; (RU).
SAYSKO, Aleksey Vladimirovich; (RU).
POTAPOV, Anatoliy Ivanovich; (RU).
GUTENEV, Vladimir Vladimirovich; (RU).
SAYSKO, Vladimir Aleksandrovich; (RU)
Mandataire : KORCHEMNAYA, Liubov; Box 67 St. Petersburg, 194017 (RU)
Données relatives à la priorité :
201600600 26.08.2016 EA
Titre (EN) THE CONVERTER OF AMBIENT THERMAL ENERGY TO ELECTRIC POWER
(FR) CONVERTISSEUR D'ÉNERGIE THERMIQUE AMBIANTE EN ÉNERGIE ÉLECTRIQUE
Abrégé : front page image
(EN)The claimed invention relates to converters of ambient thermal energy to electric power and it is intended for use as an independent source of electric power. The claimed converter of ambient thermal energy to electric power contains at least one basic multilayered solid-state different-sized structure, including B layer, contacting from one side with A1 layer through C layer, and from another side - with A2 layer through D layer. A1 layer, made from a conductive material, the thickness of which is greater than the value of the de Broglie wave-length, and the Fermi level is located in the conduction zone. B layer is made from a conductive material in the form of donor doped semiconductor or semimetal, the thickness of which has to be less than the value of the de Broglie wave-length, and the Fermi level is located in the conduction zone. C layer presents a nanofilm made from a conductive material or a dielectric, the thickness of which and material composition allow to organize the tunneling of electrons from A1 level to B level and back from B layer to Al layer, and to provide with possible significant domination of tunneling current over the current of overbarrier electron transfer.
(FR)La présente invention concerne des convertisseurs d'énergie thermique ambiante en énergie électrique et sont destinés à être utilisé comme source indépendante de puissance électrique. Le convertisseur selon l'invention, de l'énergie thermique ambiante en énergie électrique contient au moins une structure de taille différente à l'état solide multicouche de base, comprenant une couche B, mise en contact d'un côté avec une couche A1 à travers une couche C, et à partir d'un autre coté -avec une couche A2 à travers une couche D. une couche A1, réalisée à partir d'un matériau conducteur, dont l'épaisseur est supérieure à la valeur de la longueur d'onde de celle de Broglie, et le niveau de Fermi est situé dans la zone de conduction. La couche B est réalisée à partir d'un matériau conducteur sous la forme d'un semi-conducteur dopé donneur ou d'un semi-métal, dont l'épaisseur doit être inférieure à la valeur de la longueur d'onde de Broglie, et le niveau de Fermi est situé dans la zone de conduction. La couche C présente un nanofilm fait d'un matériau conducteur ou d'un diélectrique, dont l'épaisseur et la composition de matériau permettent d'organiser la tunnellisation des électrons du niveau A1 au niveau B et de l'arrière de la couche B à la couche Al, et pour fournir une dominante significative de courant de tunnellisation sur le courant de transfert d'électrons de barrière.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)