WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2018025805) ÉLÉMENT ÉMETTEUR DE LUMIÈRE À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ PERMETTANT DE PRODUIRE CE DERNIER
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2018/025805    N° de la demande internationale :    PCT/JP2017/027708
Date de publication : 08.02.2018 Date de dépôt international : 31.07.2017
CIB :
H01L 33/10 (2010.01), H01L 33/22 (2010.01), H01L 33/32 (2010.01)
Déposants : STANLEY ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 2-9-13, Nakameguro, Meguro-ku, Tokyo 1538636 (JP)
Inventeurs : TAMARI, Naoki; (JP)
Mandataire : LEXT, P.C.; Nishi-Shinjuku Mitsui Bldg. 18F, 24-1, Nishi-Shinjuku 6-Chome, Shinjuku-ku Tokyo 1600023 (JP)
Données relatives à la priorité :
2016-152298 02.08.2016 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) ÉLÉMENT ÉMETTEUR DE LUMIÈRE À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ PERMETTANT DE PRODUIRE CE DERNIER
(JA) 半導体発光素子及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided is an ultraviolet light emitting element which has a group III-V nitride semiconductor layer wherein an n-type semiconductor layer, a light emitting layer, a p-type cladding layer and a p-type contact layer are sequentially laminated on a supporting substrate in this order, and which has an n-type electrode on the n-type semiconductor layer and a p-type electrode on the p-type contact layer, while having a recessed and projected structure in at least a part of a surface of the supporting substrate, said surface being on the reverse side of the surface on which the n-type semiconductor layer is laminated. This ultraviolet light emitting element is characterized in that, in a top view of the semiconductor layer side of the ultraviolet light emitting element, the area of exposed n-type semiconductor layer in the area of the ultraviolet light emitting element is from 20% to 90% (inclusive) and the area of exposed p-contact layer and exposed p-type electrode in the remaining area is from 5% to 50% (inclusive).
(FR)La présente invention concerne un élément émetteur de lumière ultraviolette qui comporte une couche semi-conductrice de nitrure du groupe III-V, une couche semi-conductrice de type n, une couche électroluminescente, une couche de revêtement de type p et une couche de contact de type p étant stratifiées de façon séquentielle sur un substrat de support dans cet ordre, et qui comporte une électrode de type n sur la couche semi-conductrice de type n et une électrode de type p sur la couche de contact de type p, tout en ayant une structure en retrait et en saillie dans au moins une partie d'une surface du substrat de support, ladite surface se trouvant sur le côté opposé de la surface sur laquelle est stratifiée la couche semi-conductrice de type n. Cet élément émetteur de lumière ultraviolette est caractérisé en ce que, dans une vue de dessus du côté couche semi-conductrice de l'élément émetteur de lumière ultraviolette, l'aire de la couche semi-conductrice de type n exposée dans l'aire de l'élément émetteur de lumière ultraviolette est comprise entre 20 % et 90 % (inclus) et l'aire de la couche de contact p exposée et de l'électrode de type p exposée dans l'aire restante est comprise entre 5 % et 50 % (inclus).
(JA)支持基板上に、n型半導体層、発光層、p型クラッド層、p型コンタクト層がこの順で積層されたIII-V族窒化物半導体層を有し、n型半導体層上にn型電極が、p型コンタクト層上にp型電極を有し、支持基板におけるn型半導体層の積層面の反対側の面の少なくとも一部に凹凸構造を有する紫外発光素子であって、紫外発光素子の半導体層側を上面視した場合において、紫外発光素子の面積におけるn型半導体層の露出面積が、20%以上90%以下であり、且つ、残部の面積におけるp型コンタクト層及びp型電極の露出面積が5%以上、50%以下であることを特徴とする紫外発光素子を提供する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)