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1. (WO2017220479) COMPOSITION DE RINÇAGE, PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIFS DE RÉSERVE, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS
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N° de publication :    WO/2017/220479    N° de la demande internationale :    PCT/EP2017/064908
Date de publication : 28.12.2017 Date de dépôt international : 19.06.2017
CIB :
G03F 7/40 (2006.01)
Déposants : AZ ELECTRONIC MATERIALS (LUXEMBOURG) S.A.R.L. [LU/LU]; 46 Place Guillaume II 1648 Luxembourg (LU)
Inventeurs : YAMAMOTO, Kazuma; (JP).
MATSUURA, Yuriko; (JP).
YASHIMA, Tomoyasu; (JP).
NAGAHARA, Tatsuro; (JP)
Mandataire : B2B PATENTS; c/o Merck Patent GmbH 64271 Darmstadt (DE)
Données relatives à la priorité :
16001379.3 20.06.2016 EP
Titre (EN) A RINSE COMPOSITION, A METHOD FOR FORMING RESIST PATTERNS AND A METHOD FOR MAKING SEMICONDUCTOR DEVICES
(FR) COMPOSITION DE RINÇAGE, PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIFS DE RÉSERVE, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to a new rinse composition, the forming of resist patterns using the rinse composition, and a semiconductor device manufacturing method using the rinse composition in a photolithography method.
(FR)L'invention concerne une nouvelle composition de rinçage, la formation de motifs de réserve au moyen de la composition de rinçage, et un procédé de photolithographie mettant en oeuvre la composition de rinçage pour la fabrication d'un dispositif à semi-conducteurs.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)