WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2017220241) CIRCUIT ONDULEUR À TROIS POINTS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2017/220241    N° de la demande internationale :    PCT/EP2017/060770
Date de publication : 28.12.2017 Date de dépôt international : 05.05.2017
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    23.04.2018    
CIB :
H02M 7/487 (2007.01), H02M 7/515 (2007.01), H02M 7/537 (2006.01)
Déposants : SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT [DE/DE]; Werner-von-Siemens-Straße 1 80333 München (DE)
Inventeurs : ZAISER, Georg; (DE).
SAHAN, Benjamin; (DE)
Données relatives à la priorité :
16175656.4 22.06.2016 EP
Titre (DE) DREIPUNKT-WECHSELRICHTERSCHALTUNG
(EN) THREE-POINT INVERTER CIRCUIT
(FR) CIRCUIT ONDULEUR À TROIS POINTS
Abrégé : front page image
(DE)Die Erfindung betrifft eine Dreipunkt-Wechselrichterschaltung (1) aufweisend zwei gestapelte Halbbrücken (11, 12), wobei ein mittlerer Leistungsanschluss (11m) der ersten Halbbrücke (11) an einen positiven Leistungsanschluss (13p) einer drit- ten Halbbrücke (13) angeschlossen ist, wobei ein mittlerer Leistungsanschluss (12m) der zweiten Halbbrücke (12) an einen negativen Leistungsanschluss (13n) der dritten Halbbrücke (13) angeschlossen ist und wobei die Halbbrücken (11, 12, 13) jeweils eine erste Halbleiterzelle (H1, H3, H5) und eine zweite Halbleiterzelle (H2, H4, H6) aufweisen. Um im Ver- gleich zum Stand der Technik eine höhere Robustheit und nied- rigere Kosten zu erreichen, wird vorgeschlagen, dass die zweite Halbleiterzelle (H2) der ersten Halbbrücke (11) min- destens einen ersten Thyristor (T1) aufweist und die erste Halbleiterzelle (H3) der zweiten Halbbrücke (12) mindestens einen zweiten Thyristor (T2) aufweist.
(EN)The invention relates to a three-point inverter circuit (1) having two stacked half-bridges (11, 12), wherein a central power connection (11m) of the first half-bridge (11) is connected to a positive power connection (13p) of a third half-bridge (13), wherein a central power connection (12m) of the second half-bridge (12) is connected to a negative power connection (13n) of the third half-bridge (13), and wherein the half-bridges (11, 12, 13) each have a first semiconductor cell (H1, H3, H5) and a second semiconductor cell (H2, H4, H6). In order to achieve greater robustness and lower costs in comparison with the prior art, according to the invention, the second semiconductor cell (H2) of the first half-bridge (11) has at least one first thyristor (T1) and the first semiconductor cell (H3) of the second half-bridge (12) has at least one second thyristor (T2).
(FR)L'invention concerne un circuit onduleur à trois points (1) comprenant deux demi-ponts superposés (11, 12). Un branchement de puissance central (11m) du premier demi-pont (11) est branché à un branchement de puissance positif (13p) d’un troisième demi-pont (13), un branchement de puissance central (12m) du deuxième demi-pont (12) est branché à un branchement de puissance négatif (13n) du troisième demi-pont (13) et les demi-ponts (11, 12, 13) comprennent chacun une première cellule semi-conductrice (H1, H3, H5) et une seconde cellule semi-conductrice (H2, H4, H6). Pour obtenir, en comparaison avec l’état de la technique, une plus grande robustesse et de moindres coûts, la seconde cellule semi-conductrice (H2) du premier demi-pont (11) comprend au moins un premier thyristor (T1) et la première cellule semi-conductrice (H3) du deuxième demi-pont (12) comprend au moins un second thyristor (T2).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)