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1. (WO2017215423) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ
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N° de publication :    WO/2017/215423    N° de la demande internationale :    PCT/CN2017/085660
Date de publication : 21.12.2017 Date de dépôt international : 24.05.2017
CIB :
H01L 33/38 (2010.01)
Déposants : XIAMEN SAN'AN OPTOELECTRONICS CO., LTD. [CN/CN]; No. 841-899, Min An Road Hongtang Town, Tongan District Xiamen, Fujian 361100 (CN)
Inventeurs : MENG, Cheng; (CN).
LU, Yian; (CN).
WU, Chun-Yi; (CN).
WANG, Duxiang; (CN)
Données relatives à la priorité :
201610413139.8 13.06.2016 CN
Titre (EN) LIGHT-EMITTING DIODE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ
(ZH) 发光二极管及其制作方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided are a light-emitting diode and method for manufacturing same, said light-emitting diode comprising: a light-emitting epitaxial stack (250), the upper surface of which is divided into an ohmic contact region (250a) and a non-ohmic contact region (250b); an ohmic contact layer (260) located above the ohmic contact region of the light-emitting epitaxial stack; an extension electrode (271) formed on the ohmic contact layer and at least part of which extends toward the edge of the ohmic contact layer to a non-ohmic contact region of the light-emitting epitaxial stack, coming into contact with the upper surface of the light-emitting epitaxial stack; a transparent dielectric layer (280), which covers the extension electrode and the upper surface of the exposed ohmic contact layer and the light-emitting epitaxial stack, and has a current channel (273) connected to the extension electrode, the projection of the light-emitting epitaxial stack being located in the non-ohmic contact region; a bonding wire (272) which is located above the transparent dielectric layer and which conducts electricity with the extension electrode by means of the current channel, the projection of the light-emitting epitaxial stack being located in the non-ohmic contact region; when current is inputted, it flows quickly along the current channel beneath the bonding wire toward the ohmic contact region of the light-emitting epitaxial stack, avoiding the active layer beneath the bonding-wire electrode and pouring into the current light emission.
(FR)La présente invention concerne une diode électroluminescente et un procédé de fabrication associé, ladite diode électroluminescente comprenant : un empilement épitaxial électroluminescent (250), dont la surface supérieure est divisée en une région de contact ohmique (250a) et une région de contact non ohmique (250b) ; une couche de contact ohmique (260) située au-dessus de la région de contact ohmique de l'empilement épitaxial électroluminescent ; une électrode d'extension (271) formée sur la couche de contact ohmique et dont au moins une partie s'étend vers le bord de la couche de contact ohmique jusqu'à une région de contact non ohmique de l'empilement épitaxial électroluminescent, qui vient en contact avec la surface supérieure de l'empilement épitaxial électroluminescent ; une couche diélectrique transparente (280) qui recouvre l'électrode d'extension et la surface supérieure de la couche de contact ohmique exposée et de l'empilement épitaxial électroluminescent, et qui possède un canal de courant (273) relié à l'électrode d'extension, la saillie de l'empilement épitaxial électroluminescent étant située dans la région de contact non ohmique ; un fil de connexion (272) qui est situé au-dessus de la couche diélectrique transparente et qui conduit l'électricité par le biais de l'électrode d'extension au moyen du canal de courant, la saillie de l'empilement épitaxial électroluminescent étant située dans la région de contact non ohmique ; lorsqu'un courant est entré, ce dernier circule rapidement le long du canal de courant sous le fil de connexion vers la région de contact ohmique de l'empilement épitaxial électroluminescent, en évitant la couche active sous l'électrode à fil de connexion et en se déversant dans l'émission de lumière actuelle.
(ZH)一种发光二极管及其制作方法,该发光二极管包括:发光外延叠层(250),上表面划分为欧姆接触区(250a)和非欧姆接触区(250b);欧姆接触层(260),位于发光外延叠层的欧姆接触区之上;扩展电极(271),形成于欧姆接触层上,并至少部分向欧姆接触层的边沿延伸至发光外延叠层的非欧姆接触区,接触发光外延叠层的上表面;透明绝缘层(280),覆盖扩展电极及裸露着的欧姆接触层和发光外延叠层上表面,具有电流通道(273),其与扩展电极连接,在发光外延叠层的投影位于非欧姆接触区;焊线电极(272),位于透明绝缘层之上,通过电流通道与扩展电极导通,在发光外延叠层的投影位于非欧姆接触区;当注入电流时,迅速沿焊线电极下方的电流通道向发光外延叠层的欧姆接触区流通,避免焊线电极下方有源层灌入电流发光。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)