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1. (WO2017213155) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'OLIGOSILANE
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N° de publication : WO/2017/213155 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/021030
Date de publication : 14.12.2017 Date de dépôt international : 06.06.2017
CIB :
C01B 33/04 (2006.01) ,B01J 29/46 (2006.01) ,B01J 29/48 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
01
CHIMIE INORGANIQUE
B
ÉLÉMENTS NON MÉTALLIQUES; LEURS COMPOSÉS
33
Silicium; Ses composés
04
Hydrures de silicium
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
01
PROCÉDÉS OU APPAREILS PHYSIQUES OU CHIMIQUES EN GÉNÉRAL
J
PROCÉDÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES, p.ex. CATALYSE, CHIMIE DES COLLOÏDES; APPAREILLAGE APPROPRIÉ
29
Catalyseurs contenant des tamis moléculaires
04
ayant des propriétés d'échangeurs de base, p.ex. zéolites cristallines, argiles pontées
06
Zéolites aluminosilicates cristallines; Leurs composés isomorphes
40
du type pentasil, p.ex. types ZSM-5, ZSM-8 ou ZSM-11
42
contenant des métaux du groupe du fer, des métaux nobles ou du cuivre
46
Métaux du groupe du fer ou cuivre
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
01
PROCÉDÉS OU APPAREILS PHYSIQUES OU CHIMIQUES EN GÉNÉRAL
J
PROCÉDÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES, p.ex. CATALYSE, CHIMIE DES COLLOÏDES; APPAREILLAGE APPROPRIÉ
29
Catalyseurs contenant des tamis moléculaires
04
ayant des propriétés d'échangeurs de base, p.ex. zéolites cristallines, argiles pontées
06
Zéolites aluminosilicates cristallines; Leurs composés isomorphes
40
du type pentasil, p.ex. types ZSM-5, ZSM-8 ou ZSM-11
48
contenant de l'arsenic, de l'antimoine, du bismuth, du vanadium, du niobium, du tantale, du polonium, du chrome, du molybdène, du tungstène, du manganèse, du technétium ou du rhénium
Déposants :
昭和電工株式会社 SHOWA DENKO K.K. [JP/JP]; 東京都港区芝大門一丁目13番9号 13-9, Shiba Daimon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058518, JP
Inventeurs :
埜村 清志 NOMURA, Kiyoshi; JP
内田 博 UCHIDA, Hiroshi; JP
石原 吉満 ISHIHARA, Yoshimitsu; JP
中島 裕美子 NAKAJIMA, Yumiko; JP
島田 茂 SHIMADA, Shigeru; JP
佐藤 一彦 SATO, Kazuhiko; JP
Mandataire :
平川 明 HIRAKAWA, Akira; JP
筧 ちひろ KAKEHI, CHIHIRO; 東京都中央区東日本橋三丁目4番10号 アクロポリス21ビル8階 Acropolis 21 Building 8th floor, 4-10, Higashi Nihonbashi 3-chome, Chuo-ku, Tokyo 1030004, JP
Données relatives à la priorité :
2016-11639610.06.2016JP
Titre (EN) OLIGOSILANE PRODUCTION METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'OLIGOSILANE
(JA) オリゴシランの製造方法
Abrégé :
(EN) The purpose of the present invention is to provide an oligosilane production method with which a target oligosilane can be selectively produced. By using not only a monosilane, but also an oligosilane with a smaller number of silicon atoms than the target oligosilane or conversely an oligosilane with a larger number of silicon atoms than the target oligosilane as a starting material, it is possible to improve the selectivity of the target oligosilane and efficiently produce the oligosilane.
(FR) Le but de la présente invention est de fournir un procédé de production d'oligosilane avec lequel un oligosilane cible peut être produit sélectivement. En utilisant non seulement un monosilane, mais également un oligosilane ayant un nombre d'atomes de silicium inférieur à celui de l'oligosilane cible ou inversement, un oligosilane ayant un nombre d'atomes de silicium supérieur à celui l'oligosilane cible en tant que matériau de départ, il est possible d'améliorer la sélectivité de l'oligosilane cible et de produire efficacement l'oligosilane.
(JA) 目的とするオリゴシランを選択的に製造することができるオリゴシランの製造方法を提供することを目的とする。モノシランのみならず、目的とするオリゴシランに対してケイ素原子数が少ないオリゴシランや反対にケイ素原子数が多いオリゴシランを原料として利用することにより、目的とするオリゴシランの選択率を向上させて、オリゴシランを効率良く製造することができる。
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)