WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2017212890) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF ORGANIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2017/212890    N° de la demande internationale :    PCT/JP2017/018689
Date de publication : 14.12.2017 Date de dépôt international : 18.05.2017
CIB :
H05B 33/10 (2006.01), H01L 51/50 (2006.01), H05B 33/26 (2006.01)
Déposants : SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED [JP/JP]; 27-1, Shinkawa 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1048260 (JP)
Inventeurs : KISHIKAWA Eiji; (JP).
MORISHIMA Shinichi; (JP).
SHIMOGAWARA Masaya; (JP)
Mandataire : HASEGAWA Yoshiki; (JP).
SHIMIZU Yoshinori; (JP).
MIKAMI Takafumi; (JP)
Données relatives à la priorité :
2016-112694 06.06.2016 JP
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING ORGANIC DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF ORGANIQUE
(JA) 有機デバイスの製造方法
Abrégé : front page image
(EN)This method for manufacturing an organic device includes: a first electrode layer forming step for forming a first electrode layer 5 on a supporting substrate 3; an organic functional layer forming step for forming an organic functional layer 7 on at least a part of the first electrode layer 5; a second electrode layer forming step for forming a second electrode layer 9 on at least a part of the organic functional layer 7; and a patterning step for patterning a second electrode layer 8 using laser light L. In the first electrode layer forming step, the first electrode layer 5 is formed using a material having a lower light absorptivity at a predetermined wavelength of output light of the laser light L than the second electrode layer 9, and in the patterning step, in the direction in which the first electrode layer 5, the organic functional layer 7, and the second electrode layer 9 are laminated, the second electrode layer 9 is irradiated with the laser light from the second electrode layer 9 side, and the second electrode layer 9 is removed.
(FR)Ce procédé de fabrication d'un dispositif organique comprend : une étape de formation de première couche d'électrode consistant à former une première couche d'électrode 5 sur un substrat de support 3 ; une étape de formation de couche fonctionnelle organique consistant à former une couche fonctionnelle organique 7 sur au moins une partie de la première couche d'électrode 5 ; une étape de formation de seconde couche d'électrode consistant à former une seconde couche d'électrode 9 sur au moins une partie de la couche fonctionnelle organique 7 ; et une étape de formation de motifs consistant à former des motifs sur une seconde couche d'électrode 8 en utilisant une lumière laser L. À l'étape de formation de première couche d'électrode, la première couche d'électrode 5 est formée à l'aide d'un matériau ayant une absorptivité de lumière inférieure à une longueur d'onde prédéterminée de lumière de sortie de la lumière laser L que la seconde couche d'électrode 9, et à l'étape de formation de motifs, dans la direction dans laquelle sont stratifiées la première couche d'électrode 5, la couche fonctionnelle organique 7 et la seconde couche d'électrode 9, la seconde couche d'électrode 9 est exposée à la lumière laser provenant du côté de la seconde couche d'électrode 9, et la seconde couche d'électrode 9 est retirée.
(JA)有機デバイスの製造方法は、支持基板3上に第1電極層5を形成する第1電極層形成工程と、第1電極層5の少なくとも一部上に有機機能層7を形成する有機機能層形成工程と、有機機能層7の少なくとも一部上に第2電極層9を形成する第2電極層形成工程と、第2電極層8をレーザーLによりパターニングするパターニング工程と、を含み、第1電極層形成工程では、第2電極層9よりもレーザーLの出射光の所定の波長において光吸収率が低い材料で第1電極層5を形成し、パターニング工程では、第1電極層5、有機機能層7及び第2電極層9の積層方向において、第2電極層9側から第2電極層9にレーザーを照射して、第2電極層9を除去する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)