Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2017212039) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE MEMBRANES POREUSES EN GRAPHÈNE ET MEMBRANES FABRIQUÉES SELON CE PROCÉDÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2017/212039 N° de la demande internationale : PCT/EP2017/064156
Date de publication : 14.12.2017 Date de dépôt international : 09.06.2017
CIB :
B01D 67/00 (2006.01) ,B01D 69/10 (2006.01) ,B01D 71/02 (2006.01) ,H01L 29/16 (2006.01)
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
01
PROCÉDÉS OU APPAREILS PHYSIQUES OU CHIMIQUES EN GÉNÉRAL
D
SÉPARATION
67
Procédés spécialement adaptés à la fabrication de membranes semi-perméables destinées aux procédés ou aux appareils de séparation
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
01
PROCÉDÉS OU APPAREILS PHYSIQUES OU CHIMIQUES EN GÉNÉRAL
D
SÉPARATION
69
Membranes semi-perméables destinées aux procédés ou aux appareils de séparation, caractérisées par leur forme, leur structure ou leurs propriétés; Procédés spécialement adaptés à leur fabrication
10
Membranes sur support; Supports pour membranes
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
01
PROCÉDÉS OU APPAREILS PHYSIQUES OU CHIMIQUES EN GÉNÉRAL
D
SÉPARATION
71
Membranes semi-perméables destinées aux procédés ou aux appareils de séparation, caractérisées par leurs matériaux; Procédés spécialement adaptés à leur fabrication
02
Matériaux inorganiques
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02
Corps semi-conducteurs
12
caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
16
comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du quatrième groupe de la classification périodique, sous forme non combinée
Déposants :
ETH ZURICH [CH/CH]; Raemistrasse 101 / ETH transfer 8092 Zurich, CH
HEIQ MATERIALS AG; Ruetistrasse 12 8952 Schlieren, CH
Inventeurs :
HEIGHT, Murray; AU
PARK, Hyung Gyu; CH
CHOI, Kyoungjun; CH
Données relatives à la priorité :
16174017.010.06.2016EP
Titre (EN) METHOD FOR MAKING POROUS GRAPHENE MEMBRANES AND MEMBRANES PRODUCED USING THE METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE MEMBRANES POREUSES EN GRAPHÈNE ET MEMBRANES FABRIQUÉES SELON CE PROCÉDÉ
Abrégé :
(EN) Method for making a porous graphene layer (5) of a thickness of less than 100 nm with pores (6) having an average size in the range of 5-900 nm, is presented, comprising the following steps: providing a catalytically active substrate (1) catalyzing graphene formation under chemical vapor deposition conditions, said catalytically active substrate (1) in or on its surface (3) being provided with a plurality of catalytically inactive domains (2) having a size essentially corresponding to the size of the pores (6) in the resultant porous graphene layer (5); chemical vapor deposition using a carbon source in the gas phase and formation of the porous graphene layer (5) on the surface (3) of the catalytically active substrate (1), the pores (6) in the graphene layer (5) in situ being formed due to the presence of the catalytically inactive domains (2).
(FR) Procédé de fabrication d'une couche poreuse de graphène (5) d'une épaisseur inférieure à 100 nm avec des pores (6) ayant une taille moyenne comprise entre 5 et 900 nm, comprenant les étapes suivantes consistant à : se munir d’un substrat catalytiquement actif (1) catalysant la formation de graphène dans des conditions de dépôt chimique en phase vapeur, ledit substrat catalytiquement actif (1) étant pourvu dans ou sur sa surface (3) d'une pluralité de domaines catalytiquement inactifs (2) ayant une dimension correspondant sensiblement à la taille des pores (6) dans la couche de graphène poreuse résultante (5) ; un dépôt chimique en phase vapeur utilisant une source de carbone dans la phase gazeuse et la formation de la couche de graphène poreuse (5) sur la surface (3) du substrat catalytiquement actif (1), les pores (6) dans la couche de graphène (5) étant formés in situ en raison de la présence des domaines catalytiquement inactifs (2).
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)