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1. (WO2017209169) CAPTEUR MAGNÉTIQUE
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N° de publication : WO/2017/209169 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/020202
Date de publication : 07.12.2017 Date de dépôt international : 31.05.2017
CIB :
G01R 33/02 (2006.01) ,G01R 33/09 (2006.01) ,H01L 43/08 (2006.01)
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
R
MESURE DES VARIABLES ÉLECTRIQUES; MESURE DES VARIABLES MAGNÉTIQUES
33
Dispositions ou appareils pour la mesure des grandeurs magnétiques
02
Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
R
MESURE DES VARIABLES ÉLECTRIQUES; MESURE DES VARIABLES MAGNÉTIQUES
33
Dispositions ou appareils pour la mesure des grandeurs magnétiques
02
Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques
06
en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques
09
des dispositifs magnéto-résistifs
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43
Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
08
Résistances commandées par un champ magnétique
Déposants :
株式会社村田製作所 MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 京都府長岡京市東神足1丁目10番1号 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555, JP
Inventeurs :
岡部 修二 OKABE, Syuji; JP
堤 弘毅 TSUTSUMI, Hiroki; JP
Mandataire :
特許業務法人深見特許事務所 FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; 大阪府大阪市北区中之島三丁目2番4号 中之島フェスティバルタワー・ウエスト Nakanoshima Festival Tower West, 2-4, Nakanoshima 3-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005, JP
Données relatives à la priorité :
2016-10869431.05.2016JP
Titre (EN) MAGNETIC SENSOR
(FR) CAPTEUR MAGNÉTIQUE
(JA) 磁気センサ
Abrégé :
(EN) A magnetic sensor provided with: first magnetic resistance elements (120a, 120b); second magnetic resistance elements (130a, 130b); an insulation layer (30); and, among a first magnetic member (40) and a second magnetic member (50) located on the insulation layer (30), at least the first magnetic member (40). The first magnetic resistance elements (120a, 120b) have, among an outer peripheral edge and an inner peripheral edge, at least the outer peripheral edge. The first magnetic member (40), when viewed from a direction orthogonal to the insulation layer (30), is located medial to the outer peripheral edge of the first magnetic resistance elements (120a, 120b). The second magnetic resistance elements (130a, 130b), when viewed from a direction orthogonal to the insulation layer (30), are located medial to the first magnetic resistance elements (120a, 120b) and covered by the first magnetic member (40), or are located lateral to the first magnetic resistance elements (120a, 120b) and covered by the second magnetic member (50).
(FR) La présente invention concerne un capteur magnétique pourvu de : premiers éléments de résistance magnétique (120a, 120b) ; deuxièmes éléments de résistance magnétique (130a, 130b) ; une couche d'isolation (30) ; et, parmi un premier élément magnétique (40) et un deuxième élément magnétique (50) situé sur la couche isolante (30), au moins le premier élément magnétique (40). Les premiers éléments de résistance magnétique (120a, 120b) comportent, parmi un bord périphérique externe et un bord périphérique interne, au moins le bord périphérique externe. Le premier élément magnétique (40), observé depuis une direction orthogonale à la couche d'isolation (30), est situé en position médiane par rapport au bord périphérique externe des premiers éléments de résistance magnétique (120a, 120b). Les deuxièmes éléments de résistance magnétique (130a, 130b), observés depuis une direction orthogonale à la couche d'isolation (30), sont situés en position médiane par rapport aux premiers éléments de résistance magnétique (120a, 120b) et recouverts par le premier élément magnétique (40), ou sont situés en position latérale par rapport aux premiers éléments de résistance magnétique (120a, 120b) et recouverts par le deuxième élément magnétique (50).
(JA) 磁気センサは、第1磁気抵抗素子(120a,120b)と、第2磁気抵抗素子(130a,130b)と、絶縁層(30)と、絶縁層(30)上に位置する、第1磁性体部材(40)および第2磁性体部材(50)のうちの少なくとも第1磁性体部材(40)とを備える。第1磁気抵抗素子(120a,120b)は、外周縁および内周縁のうちの少なくとも外周縁を有する。第1磁性体部材(40)は、絶縁層(30)に直交する方向から見て、第1磁気抵抗素子(120a,120b)の外周縁より内側の領域に位置している。第2磁気抵抗素子(130a,130b)は、絶縁層(30)に直交する方向から見て、第1磁気抵抗素子(120a,120b)の内周縁より内側の領域に位置して第1磁性体部材(40)で覆われている、または、第1磁気抵抗素子(120a,120b)の外周縁より外側の領域に位置して第2磁性体部材(50)で覆われている。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)