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1. (WO2017198686) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT CONTRAINT SEMI-CONDUCTEUR SUR ISOLANT
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N° de publication : WO/2017/198686 N° de la demande internationale : PCT/EP2017/061792
Date de publication : 23.11.2017 Date de dépôt international : 17.05.2017
CIB :
H01L 21/762 (2006.01)
Déposants : SOITEC[FR/FR]; Parc Technologique des Fontaines Chemin des Franques 38190 BERNIN, FR
Inventeurs : SCHWARZENBACH, Walter; FR
CHABANNE, Guillaume; FR
DAVAL, Nicolas; FR
Mandataire : REGIMBEAU; 139 Rue Vendôme 69577 LYON CEDEX 06, FR
Données relatives à la priorité :
165436817.05.2016FR
Titre (EN) METHOD FOR FABRICATING A STRAINED SEMICONDUCTOR-ON-INSULATOR SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT CONTRAINT SEMI-CONDUCTEUR SUR ISOLANT
Abrégé : front page image
(EN) The invention relates to a method for fabricating a strained semiconductor-on-insulator substrate, comprising: (a) the provision of a donor substrate (1) comprising a monocrystalline semiconductor layer (13); (b) the provision of a receiving substrate (2) comprising a surface layer (20) of a strained monocrystalline semiconductor material; (c) the bonding of the donor substrate (1) to the receiving substrate (2), a dielectric layer (11, 22) being at the interface; (d) the transfer of the monocrystalline semiconductor layer (13) from the donor substrate (1) to the receiving substrate (2); (e) the cutting of a portion from a stack formed from the transferred monocrystalline semiconductor layer (13), from the dielectric layer (11, 22) and from the strained semiconductor material layer (20), said cutting operation resulting in the relaxation of the strain in the strained semiconductor material, and in the application of at least a part of said strain to the transferred monocrystalline semiconductor layer. Step (b) additionally comprises the formation, on the strained semiconductor material layer (20) of the receiving substrate (2), of a dielectric bonding layer (22) or of a bonding layer consisting of the same relaxed, or at least partially relaxed, monocrystalline material (23) as the monocrystalline semiconductor layer (13) of the donor substrate (1), and in that in step (c) said bonding layer (22, 23) is at the bonding interface between the donor substrate and the receiving substrate.
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication d'un substrat contraint semi-conducteur sur isolant, consistant à : (a) utiliser un substrat donneur (1) comprenant une couche semi-conductrice monocristalline (13); (b) utiliser un substrat de réception (2) comprenant une couche de surface (20) d'un matériau semi-conducteur monocristallin contraint; (c) lier le substrat donneur (1) au substrat de réception (2), une couche diélectrique (11, 22) se trouvant au niveau de l'interface; (d) transférer la couche semi-conductrice monocristalline (13) du substrat donneur (1) au substrat de réception (2); (e) découper une partie d'un empilement constitué de la couche semi-conductrice monocristalline (13) transférée, de la couche diélectrique (11, 22) et de la couche de matériau semi-conducteur contraint (20), ladite opération de découpe conduisant à la relaxation de la contrainte dans le matériau semi-conducteur contraint, et à l'application d'au moins une partie de ladite contrainte à la couche semi-conductrice monocristalline transférée. L'étape (b) consiste en outre à former, sur la couche de matériau semi-conducteur contraint (20) du substrat de réception (2), une couche de liaison diélectrique (22) ou une couche de liaison constituée du même matériau monocristallin (23) relaxé, ou au moins partiellement relaxé, en tant que couche semi-conductrice monocristalline (13) du substrat donneur (1), et, à l'étape (c), ladite couche de liaison (22, 23) se trouve au niveau de l'interface de liaison entre le substrat donneur et le substrat de réception.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)