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1. (WO2017198048) UNITÉ DE PIXEL, SUBSTRAT MATRICIEL ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE, ET LEURS PROCÉDÉS DE FABRICATION
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N° de publication :    WO/2017/198048    N° de la demande internationale :    PCT/CN2017/081874
Date de publication : 23.11.2017 Date de dépôt international : 25.04.2017
CIB :
H01L 27/12 (2006.01), H01L 21/77 (2017.01)
Déposants : BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; No.10 Jiuxianqiao Rd., Chaoyang District Beijing 100015 (CN)
Inventeurs : WANG, Zuqiang; (CN)
Mandataire : TEE&HOWE INTELLECTUAL PROPERTY ATTORNEYS; Yuan CHEN 10th Floor, Tower D, Minsheng Financial Center, 28 Jianguomennei Avenue, Dongcheng District Beijing 100005 (CN)
Données relatives à la priorité :
201610323593.4 16.05.2016 CN
Titre (EN) PIXEL UNIT, ARRAY SUBSTRATE, AND DISPLAY DEVICE, AND FABRICATION METHODS THEREOF
(FR) UNITÉ DE PIXEL, SUBSTRAT MATRICIEL ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE, ET LEURS PROCÉDÉS DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)Pixel unit, array substrate, and display device, and their fabrication methods are provided. The disclosed pixel unit can include: a transistor (2), including a drain electrode (21); a pixel electrode (3), including a first bottom conductive layer (311) in contact with a surface of the drain electrode (21) and a metal layer (32); and a planarization layer (4), formed on the transistor (2) and the first bottom conductive layer (311). The metal layer (32) is electrically connected to the first bottom conductive layer (311) through a via-hole in the planarization layer (4).
(FR)La présente invention concerne une unité de pixel, un substrat matriciel et un dispositif d'affichage, ainsi que leurs procédés de fabrication. L'unité de pixel décrite peut comprendre : un transistor (2), comprenant une électrode de drain (21); une électrode de pixel (3), comprenant une première couche conductrice inférieure (311) en contact avec une surface de l'électrode de drain (21) et une couche métallique (32); et une couche de planarisation (4), formée sur le transistor (2) et la première couche conductrice inférieure (311). La couche métallique (32) est électriquement connectée à la première couche conductrice inférieure (311) par l'intermédiaire d'un trou traversant dans la couche de planarisation (4).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)