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1. (WO2017188815) PROCÉDÉ POUR FABRIQUER DES PHOTOPILES INTERCONNECTÉES, ET DE TELLES PHOTOPILES INTERCONNECTÉES
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N° de publication :    WO/2017/188815    N° de la demande internationale :    PCT/NL2017/050268
Date de publication : 02.11.2017 Date de dépôt international : 26.04.2017
CIB :
H01L 31/0749 (2012.01), H01L 31/0463 (2014.01)
Déposants : STICHTING ENERGIEONDERZOEK CENTRUM NEDERLAND [NL/NL]; Westerduinweg 3 1755 LE Petten (NL).
NEDERLANDSE ORGANISATIE VOOR TOEGEPAST-NATUURWETENSCHAPPELIJK ONDERZOEK TNO [NL/NL]; Anna van Buerenplein 1 2595 DA 's-Gravenhage (NL)
Inventeurs : BOSMAN, Johan; (NL).
BIEZEMANS, Anne Ferenc Karel Victor; (NL).
GEVAERTS, Veronique Stephanie; (NL).
DEBERNARDI, Nicola; (NL)
Mandataire : NEDERLANDSCH OCTROOIBUREAU; P.O. Box 29720 2502 Ls The Hague (NL)
Données relatives à la priorité :
2016708 29.04.2016 NL
Titre (EN) A METHOD FOR MANUFACTURING INTERCONNECTED SOLAR CELLS AND SUCH INTERCONNECTED SOLAR CELLS
(FR) PROCÉDÉ POUR FABRIQUER DES PHOTOPILES INTERCONNECTÉES, ET DE TELLES PHOTOPILES INTERCONNECTÉES
Abrégé : front page image
(EN)The invention relates to a method for making interconnected solar cells. The method has steps of a) providing a continuous layer stack (100) on a substrate. The layer stack has a top electrode layer (130), a bottom electrode layer (140) adjacent to the substrate, a photovoltaic active layer (150) and a barrier layer (160) adjacent to the bottom electrode layer interposed between the top and the bottom electrode layer; b) selectively removing the top electrode layer and the photo-voltaic layer for obtaining a first trench (210) exposing the barrier layer using a first laser beam (270) with a first wavelength; c) selectively removing the barrier layer and the bottom electrode layer within the first trench for obtaining a second trench (312) exposing the substrate using a second laser beam (272) with a second wavelength, d) filling the first trench and the second trench with electrical insulating member (480). The first wavelength of the first laser beam is larger than a wavelength corresponding with a bandgap energy of the photo-voltaic layer.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication de photopiles interconnectées. Le procédé comprend les étapes consistant : a) à fournir un empilement de couches continu (100) sur un substrat. L'empilement de couches a une couche d'électrode supérieure (130), une couche d'électrode inférieure (140) adjacente au substrat, une couche active photovoltaïque (150) et une couche barrière (160) adjacente à la couche d'électrode inférieure placée entre la couche d'électrode supérieure et la couche d'électrode inférieure ; b) à retirer de manière sélective la couche d'électrode supérieure et la couche photovoltaïque pour obtenir une première tranchée (210) découvrant la couche barrière à l'aide d'un premier faisceau laser (270) ayant une première longueur d'onde ; c) à retirer de manière sélective la couche barrière et la couche d'électrode inférieure à l'intérieur de la première tranchée pour obtenir une seconde tranchée (312) découvrant le substrat à l'aide d'un second faisceau laser (272) ayant une seconde longueur d'onde, et d) à remplir la première tranchée et la seconde tranchée avec un élément d'isolation électrique (480). La première longueur d'onde du premier faisceau laser est plus grande qu'une longueur d'onde correspondant à une énergie de bande interdite de la couche photovoltaïque.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)