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1. (WO2017185773) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
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N° de publication :    WO/2017/185773    N° de la demande internationale :    PCT/CN2016/111668
Date de publication : 02.11.2017 Date de dépôt international : 23.12.2016
CIB :
H01L 33/00 (2010.01), H01L 33/06 (2010.01), H01L 33/32 (2010.01)
Déposants : XIAMEN SANAN OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; No. 1721-1725 Lvling Road, Siming District Xiamen, Fujian 361009 (CN)
Inventeurs : LIN, Chung-pao; (CN).
CHENG, Hu; (CN).
LIN, Chan-Chan; (CN).
CHANG, Chia-Hung; (CN)
Données relatives à la priorité :
201610260973.8 25.04.2016 CN
Titre (EN) LIGHT-EMITTING DIODE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 一种发光二极管及其制备方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided are a light-emitting diode and a manufacturing method therefor, comprising an underlayment (100), performing a cleaning process on a surface of the underlayment (100); growing a buffer layer (200) and an N-type semiconductor layer (300) on the surface of the underlayment (100) in sequence; growing a quantum well layer (400) on a surface of the N-type semiconductor layer (300), wherein the growth of the quantum well layer (400) comprises: the growth of a defect layer (410), a recovered layer (420) and a light-emitting layer (430); and growing a first P-type semiconductor layer (510), an electron blocking layer (520) and a second P-type semiconductor layer (530) on a surface of the quantum well layer (400). Increasing In composition on the premise of improving the quality of the quantum well and meanwhile using the high pressure and lightly doped first P-type layer structure, improve the light-emitting brightness of the light-emitting diode.
(FR)L'invention concerne une diode électroluminescente, comprenant une sous-couche (100), et son procédé de fabrication, consistant à effectuer un processus de nettoyage sur une surface de la sous-couche (100) ; à faire croître une couche tampon (200) et une couche semi-conductrice du type N (300) sur la surface de la sous-couche (100) en séquence ; à faire croître une couche de puits quantique (400) sur une surface de la couche semi-conductrice du type N (300), la croissance de la couche de puits quantique (400) comprenant : la croissance d'une couche de défaut (410), d'une couche récupérée (420) et d'une couche électroluminescente (430) ; et à faire croître une première couche semi-conductrice du type P (510), une couche de blocage d'électrons (520) et une seconde couche semi-conductrice du type P (530) sur une surface de la couche de puits quantique (400). L'augmentation de la composition suivant la prémisse d'améliorer la qualité du puits quantique, et en même temps l'utilisation de la structure de première couche du type P à haute pression et faiblement dopée, permettent d'améliorer la luminosité d'émission de lumière de la diode électroluminescente.
(ZH)提供了一种发光二极管及其制备方法,包括提供一衬底(100),对衬底(100)表面进行清洁处理;在衬底(100)表面依次生长缓冲层(200)、N型半导体层(300);在N型半导体层(300)表面生长量子阱层(400),量子阱层(400)的生长包括:缺陷层(410)、修复层(420)和发光层(430)的生长;在量子阱层(400)的表面生长第一P型半导体层(510)、电子阻挡层(520)和第二P型半导体层(530)。在改善量子阱质量的前提下增加In组分,同时采用高压低掺的第一P型层结构,提高了发光二极管的发光亮度。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)