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1. (WO2017178941) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UNE CELLULE SOLAIRE, CELLULE SOLAIRE PRODUITE PAR LEDIT PROCÉDÉ ET SUPPORT DE SUBSTRAT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2017/178941    N° de la demande internationale :    PCT/IB2017/052013
Date de publication : 19.10.2017 Date de dépôt international : 07.04.2017
CIB :
H01L 31/0216 (2014.01), H01L 31/0224 (2006.01), H01L 31/0747 (2012.01), C23C 14/00 (2006.01), C23C 14/50 (2006.01), C23C 16/458 (2006.01), H01L 21/673 (2006.01)
Déposants : MEYER BURGER (GERMANY) AG [DE/DE]; An der Baumschule 6-8 09337 Hohenstein-Ernsthal (DE)
Inventeurs : CITARELLA, Giuseppe; (DE).
SPERLICH, Hans-Peter; (DE).
KÖHLER, Gunnar; (DE).
WÜNSCH, Frank; (DE).
SONTAG, Detlef; (DE).
MEHLICH, Heiko; (DE).
KÖNIG, Marcel; (DE).
PAPET, Pierre; (CH)
Mandataire : DR. STEINIGER, Carmen; (DE)
Données relatives à la priorité :
DE 10 2016 106 563.3 11.04.2016 DE
Titre (DE) VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER SOLARZELLE, MIT DEM VERFAHREN HERGESTELLTE SOLARZELLE UND SUBSTRATTRÄGER
(EN) METHOD FOR PRODUCING A SOLAR CELL, SOLAR CELL PRODUCED BY THIS METHOD AND SUBSTRATE CARRIER
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UNE CELLULE SOLAIRE, CELLULE SOLAIRE PRODUITE PAR LEDIT PROCÉDÉ ET SUPPORT DE SUBSTRAT
Abrégé : front page image
(DE)Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer Solarzelle mit einem Heteroübergang mit folgenden Schritten: Ausbilden einer ersten amorphen, nano- und/oder mikrokristallinen Halbleiterschicht auf der Vorderseite eines Halbleitersubstrates; Ausbilden einer elektrisch leitfähigen, transparenten Vorderseitenelektrodenschicht; Ausbilden einer vorderseitigen metallischen Kontaktschichtgitterstruktur; vorderseitige PECVD-Abscheidung einer transparenten dielektrischen Vorderseitendeckschicht. Erfindungsgemäß wird für die Abscheidung der Vorderseitendeckschicht eine oberflächenselektive PECVD-Abscheidung verwendet und die Vorderseitendeckschicht mit einer solchen Dicke abgeschieden, dass die Vorderseitendeckschicht direkt nach ihrer Schichtabscheidung, ohne zusätzliche Wärme- und/oder chemische Behandlung nur auf den die vorderseitige Kontaktschichtgitterstruktur umgebenden Bereichen, aber nicht auf der vorderseitigen Kontaktschichtgitterstruktur eine geschlossene Schicht ausbildet.
(EN)The invention relates to a method for producing a solar cell that has a heterojunction, comprising the following steps: forming a first amorphous, nano- and/or micro-crystalline semiconductor layer on the front face of a semiconductor substrate; forming an electrically conductive, transparent front electrode layer; forming a metallic front contact layer grid structure; and carrying out, on the front face, a PECVD deposition of a transparent dielectric front cover layer. According to the invention, a surface-selective PECVD deposition is used for the deposition of the front cover layer and the front cover layer is deposited with such a thickness that the front cover layer forms, directly after its deposition, a closed layer only in regions surrounding the front contact layer grid structure but not on the front contact layer grid structure without performing any additional heat and/or chemical treatment.
(FR)L'invention concerne un procédé de production d'une cellule solaire dotée d'une transition hétérogène, comportant les étapes suivantes : formation d'une première couche semi-conductrice amorphe nanocristalline et/ou ou microcristalline sur la face avant d'un substrat semi-conducteur; formation d'une couche d'électrode de face avant électroconductrice transparente; formation d'une structure de grille de couche de contact métallique sur la face avant; dépôt PECVD sur la face avant pour former une couche de recouvrement de face avant transparente diélectrique. Selon l'invention, on utilise pour le dépôt de la couche de recouvrement de face avant un dépôt PECVD sélectif en termes de surface, et la couche de recouvrement de face avant est déposée dans une épaisseur telle que la couche de recouvrement de face avant forme directement après son dépôt, sans traitement thermique et/ou chimique supplémentaire, une couche fermée uniquement sur les zones entourant la structure de grille de couche de contact, mais non sur la structure de grille de couche de contact de la face avant.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)