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1. (WO2017173992) CAPTEUR À MAGNÉTORÉSISTANCE ANISOTROPE (AMR) NE NÉCESSITANT PAS DE DISPOSITIF DE RÉGLAGE/DE REMISE À L'ÉTAT INITIAL
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N° de publication :    WO/2017/173992    N° de la demande internationale :    PCT/CN2017/079493
Date de publication : 12.10.2017 Date de dépôt international : 05.04.2017
CIB :
G01R 33/09 (2006.01)
Déposants : MULTIDIMENSION TECHNOLOGY CO., LTD. [CN/CN]; No. 7 Guangdong Road, Free Trade Zone Zhangjiagang, Jiangsu 215634 (CN)
Inventeurs : XUE, Songsheng; (CN).
LEI, Xiaofeng; (CN).
SHEN, Weifeng; (CN).
FENG, Lixian; (CN)
Mandataire : SCIHEAD PATENT AGENT CO., LTD.; Room 1508, Huihua Commercial & Trade Building No. 80 Xian Lie Zhong Road, Yuexiu District Guangzhou City, Guangdong 510070 (CN)
Données relatives à la priorité :
201620279414.7 06.04.2016 CN
Titre (EN) ANISOTROPIC MAGNETORESISTANCE (AMR) SENSOR NOT REQUIRING SET/RESET DEVICE
(FR) CAPTEUR À MAGNÉTORÉSISTANCE ANISOTROPE (AMR) NE NÉCESSITANT PAS DE DISPOSITIF DE RÉGLAGE/DE REMISE À L'ÉTAT INITIAL
(ZH) 一种无需置位/复位装置的各向异性磁电阻AMR传感器
Abrégé : front page image
(EN)An anisotropic magnetoresistance (AMR) sensor (100) not requiring a set/reset device comprises a substrate (140), an exchange bias layer (130), an AMR layer (110), and barber-pole electrodes (122). The exchange bias layer (130) is deposited on the substrate (140), and the AMR layer (110) is deposited on the exchange bias layer (130). The AMR layer (110) is composed of multiple groups of AMR strips, and each group of AMR strips is composed of multiple AMR strips. The barber-pole electrodes (122) are arranged on each AMR strip in a regular pattern. The AMR sensor (100) of the present invention achieves coupling by using the exchange bias layer (130), without requiring a reset/set coil, thereby greatly reducing chip power consumption, simplifying the manufacturing process, increasing product yield, and reducing production costs.
(FR)La présente invention concerne un capteur à magnétorésistance anisotrope (AMR) (100) qui ne nécessite pas de dispositif de réglage/de remise à l'état initial et qui comprend un substrat (140), une couche de polarisation d'échange (130), une couche AMR (110) et des électrodes en forme de zébrures (122). La couche de polarisation d'échange (130) est déposée sur le substrat (140), et la couche AMR (110) est déposée sur la couche de polarisation d'échange (130). La couche AMR (110) est composée de multiples groupes de bandes AMR, et chaque groupe de bandes AMR est composé de multiples bandes AMR. Les électrodes en forme de zébrures (122) sont disposées sur chaque bande AMR selon un motif régulier. Le capteur AMR (100) selon la présente invention réalise un couplage en utilisant la couche de polarisation d'échange (130), sans nécessiter de bobine de remise à l'état initial/de réglage, ce qui permet ainsi de réduire énormément la consommation d'énergie de puce, de simplifier le procédé de fabrication, d'augmenter le rendement de produit et de réduire les coûts de production.
(ZH)一种无需置位/复位装置的各向异性磁电阻AMR传感器(100),包括基片(140)、交换偏置层(130)、AMR磁阻层(110)和巴贝电极(122),交换偏置层(130)沉积于基片(140)上,AMR磁阻层(110)沉积于交换偏置层(130)上,AMR磁阻层(110)由多组AMR磁阻条组成,每组AMR磁阻条由多个AMR磁阻条组成,巴贝电极(122)按一定规律排布在每个AMR磁阻条上。该AMR传感器(100)利用交换偏置层(130)进行耦合,无需复位/置位线圈,由于取消了线圈,使得芯片的功耗大幅度降低,制造工艺更加简单,随之提高了产品的良率,降低了生产成本。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)