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1. (WO2017173671) ÉLECTRODE DE STIMULATION CÉRÉBRALE PROFONDE, SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION ET SYSTÈME DE STIMULATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2017/173671 N° de la demande internationale : PCT/CN2016/079617
Date de publication : 12.10.2017 Date de dépôt international : 19.04.2016
CIB :
A61N 1/05 (2006.01)
A NÉCESSITÉS COURANTES DE LA VIE
61
SCIENCES MÉDICALE OU VÉTÉRINAIRE; HYGIÈNE
N
ÉLECTROTHÉRAPIE; MAGNÉTOTHÉRAPIE; THÉRAPIE PAR RADIATIONS; THÉRAPIE PAR ULTRASONS
1
Électrothérapie; Circuits à cet effet
02
Parties constitutives
04
Electrodes
05
à implanter ou à introduire dans le corps, p.ex. électrode cardiaque
Déposants :
苏州景昱医疗器械有限公司 SCENERAY CO., LTD [CN/CN]; 中国江苏省 苏州市工业园区星湖街218号生物纳米园C16尉敏 YU, Min BioBay C16, 218 Xinghu Street, Industrial Park Suzhou, Jiangsu 215123, CN
Inventeurs :
豆美娟 DOU, Meijuan; CN
朱为然 ZHU, Weiran; CN
Mandataire :
苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) SUZHOU WISPRO INTELLECTUAL PROPERTY AGENCY; 中国江苏省苏州市 工业园区星湖街999号99幢506室谢丽君 Anne Xie Apt 506 Building 99, 999 Xinghu Street, Suzhou Industrial Park Suzhou, Jiangsu 215028, CN
Données relatives à la priorité :
201610213488.507.04.2016CN
Titre (EN) DEEP BRAIN STIMULATION ELECTRODE, PRODUCTION METHOD THEREFOR AND STIMULATION SYSTEM
(FR) ÉLECTRODE DE STIMULATION CÉRÉBRALE PROFONDE, SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION ET SYSTÈME DE STIMULATION
(ZH) 脑深部刺激电极、其制作方法及刺激系统
Abrégé :
(EN) A deep brain stimulation electrode (100), a production method therefor and a stimulation system, the electrode (100) comprising electrode bodies (10, 10a) having a proximal end and a distal end, the electrode bodies (10, 10a) also having a length direction (A) and a width direction (B) which are mutually perpendicular. The electrode (100) further comprises a plurality of electrode contacts (11, 11a) located at the proximal end, and an interval (L) between two adjacent electrode contacts (11, 11a) in the length direction (A) is 1.0 ± 0.1 mm. Such design of intervals effectively takes into account position deviation of the deep brain stimulation electrode (100) inserted into a nucleus (200) which is caused by occurrences of errors such as magnetic resonance deviation, electrode drift, brain collapse and operating rack, thereby significantly increasing the effective stimulation area of the electrode contacts (11, 11a) located in the nucleus (200), thus enhancing the stimulation effect on a patient, reducing the side effects caused by the stimulation in case of insertion deviation, and prolonging the service lives of batteries in deep brain electric stimulation systems.
(FR) La présente invention concerne une électrode de stimulation cérébrale profonde (100), son procédé de production et un système de stimulation, l'électrode (100) comprenant des corps d'électrode (10, 10a) ayant une extrémité proximale et une extrémité distale, les corps d'électrode (10, 10a) ayant en outre une direction longitudinale (A) et une direction transversale (B) qui sont mutuellement perpendiculaires. L'électrode (100) comprend en outre une pluralité de contacts d'électrode (11, 11a) situés à l'extrémité proximale, et un intervalle (L) entre deux contacts d'électrode adjacents (11, 11a) dans la direction longitudinale (A) est de 1,0 ± 0,1 mm. Une telle conception d'intervalles prend en compte efficacement un écart de position de l'électrode de stimulation cérébrale profonde (100) insérée dans un noyau (200) qui est causé par des apparitions d'erreurs telles qu'un écart de résonance magnétique, une dérive d'électrode, un affaissement du cerveau et un support de fonctionnement, de façon à augmenter significativement l’aire de de stimulation efficace des contacts d'électrode (11, 11a) situés dans le noyau (200), de façon à améliorer l'effet de stimulation sur un patient, réduire les effets secondaires causés par la stimulation en cas d'écart d'insertion, et prolonger les durées de vie de batteries dans des systèmes de stimulation électrique cérébrale profonde.
(ZH) 一种脑深部刺激电极(100)、其制作方法及刺激系统,所述电极(100)包括具有近端及远端的电极本体(10、10a),所述电极本体(10、10a)具有相互垂直的长度方向(A)及宽度方向(B),所述电极(100)还包括位于远端的若干电极触点(11、11a),于所述长度方向(A)上,相邻两个电极触点(11、11a)之间的间距(L)为1.0±0.1毫米。如此的间距设计,可以有效考虑到因磁共振偏差、电极漂移、脑部塌陷、手术头架等误差情况存在而引起的脑深部刺激电极(100)插入核团(200)的位置的偏差,从而可以大大提高位于核团(200)内的电极触点(11、11a)有效刺激面积,如此,提高了对患者的刺激效果,减少了插偏时刺激所带来的副作用,且延长了脑深部电刺激系统中的电池使用寿命。
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Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)