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1. (WO2017172035) STRUCTURE DE COQUE POUR ISOLATION D'UNE INTERCONNEXION À TRAVERS UN SUBSTRAT
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N° de publication : WO/2017/172035 N° de la demande internationale : PCT/US2017/016195
Date de publication : 05.10.2017 Date de dépôt international : 02.02.2017
CIB :
H01L 21/768 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71
Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
768
Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
Déposants :
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, CA 95054, US
Inventeurs :
KARNIK, Tanay; US
WAHBY, William; US
Mandataire :
MALLIE, Michael J.; US
MILLER, Dermot G.; US
VINCENT, Lester J.; US
BERNADICOU, Michael A.; US
Données relatives à la priorité :
15/085,92530.03.2016US
Titre (EN) SHELL STRUCTURE FOR INSULATION OF A THROUGH-SUBSTRATE INTERCONNECT
(FR) STRUCTURE DE COQUE POUR ISOLATION D'UNE INTERCONNEXION À TRAVERS UN SUBSTRAT
Abrégé :
(EN) Techniques and mechanisms for providing electrical insulation of a through-substrate interconnect (TI). In an embodiment, the TI extends between a first side of the substrate and a second side of the substrate opposite the first side. The substrate has formed therein a conductive shell structure that extends at least partially around a periphery of the TI. A first dielectric liner structure is disposed between the conductive shell structure and a bulk material of the substrate. A second dielectric liner structure is disposed between the conductive shell structure and the TI. In another embodiment, a voltage of the conductive shell structure is allowed to float while the TI exchanges a signal or a supply voltage.
(FR) L’invention concerne des techniques et des mécanismes pour réaliser l’isolation électrique d'une interconnexion à travers un substrat (TI). Dans un mode de réalisation, la TI s'étend entre un premier côté du substrat et un second côté du substrat opposé au premier côté. Le substrat contient une structure de coque conductrice qui s'étend au moins partiellement autour d'une périphérie de la TI. Une première structure de garniture diélectrique est disposée entre la structure de coque conductrice et un matériau de base du substrat. Une seconde structure de garniture diélectrique est disposée entre la structure de coque conductrice et la TI. Dans un autre mode de réalisation, une tension de la structure de coque conductrice est autorisée à flotter tandis que la TI échange un signal ou une tension d'alimentation.
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)