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1. (WO2017171891) SYSTÈMES, PROCÉDÉS ET APPAREILS DE MODÉLISATION DE COMPENSATION DU RÉTICULE POUR TRAITEMENT POST-LITHOGRAPHIE À L'AIDE D'ALGORITHMES D'APPRENTISSAGE AUTOMATIQUE

Pub. No.:    WO/2017/171891    International Application No.:    PCT/US2016/025781
Publication Date: Fri Oct 06 01:59:59 CEST 2017 International Filing Date: Sun Apr 03 01:59:59 CEST 2016
IPC: H01L 21/027
G03F 7/20
Applicants: INTEL CORPORATION
Inventors: LAL, Vasudev
MA, Hyungjin
JEONG, Seongtae
HOGGAN, Erik N.
Title: SYSTÈMES, PROCÉDÉS ET APPAREILS DE MODÉLISATION DE COMPENSATION DU RÉTICULE POUR TRAITEMENT POST-LITHOGRAPHIE À L'AIDE D'ALGORITHMES D'APPRENTISSAGE AUTOMATIQUE
Abstract:
Selon des modes de réalisation décrits, l'invention concerne des procédés, des systèmes et des appareils pour modéliser une compensation du réticule pour un traitement post-lithographie à l'aide d'algorithmes d'apprentissage automatique. Par exemple, selon un mode de réalisation, des moyens sont décrits pour former les motifs d'une résine photosensible d'une tranche de silicium physique avec une pluralité d'éléments définis par un masque par le biais d'un processus de lithographie; créer un modèle de la résine photosensible à l'aide de paramètres physiques du processus de lithographie utilisé pour former les motifs de la résine photosensible, le modèle spécifiant les contours de la pluralité d'éléments de la résine photosensible; effectuer un processus post-lithographie sur la résine photosensible de la tranche de silicium physique; capturer des images de microscopie électronique à balayage (MEB) de la pluralité d'éléments formés à l'intérieur de la tranche de silicium physique après que le processus post-lithographie a été effectué; quantifier les différences entre (a) les contours de la pluralité d'éléments de la résine photosensible spécifiés par le modèle et (b) la pluralité d'éléments formés à l'intérieur de la tranche de silicium physique capturés par les images MEB après le processus post-lithographie; et décaler les contours de la pluralité d'éléments spécifiés par le modèle sur la base des différences quantifiées afin de générer un nouveau modèle ayant de nouveaux contours pour la pluralité d'éléments formés à l'intérieur de la tranche de silicium physique après que le processus post-lithographie a été effectué. D'autres modes de réalisation associés sont décrits.