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1. (WO2017171751) DÉVELOPPEMENT AUTO-ALIGNÉ D'ÉLÉMENTS TOPOGRAPHIQUES
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N° de publication :    WO/2017/171751    N° de la demande internationale :    PCT/US2016/024911
Date de publication : 05.10.2017 Date de dépôt international : 30.03.2016
CIB :
H01L 21/027 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Blvd. Santa Clara, California 95054 (US)
Inventeurs : GULER, Leonard, P.; (US).
LINDERT, Nick; (US)
Mandataire : HOWARD, James, M.; (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SELF-ALIGNED BUILD-UP OF TOPOGRAPHIC FEATURES
(FR) DÉVELOPPEMENT AUTO-ALIGNÉ D'ÉLÉMENTS TOPOGRAPHIQUES
Abrégé : front page image
(EN)Methods and architectures for self-aligned build-up of patterned features. An initial patterned feature aspect ratio may be maintained or increased, for example to mitigate erosion of the feature during one or more subtractive device fabrication processes. A patterned feature height may be increased without altering an effective spacing between adjacent features that may be further relied upon, for example to further pattern an underlying material. A patterned feature may be conformally capped with a material, such as a metal or dielectric, in a self-aligned manner, for example to form a functional device layer on an initial pattern having a suitable space width-to-line height aspect ratio without the use of a masked etch to define the cap.
(FR)L'invention concerne des procédés et des architectures pour le développement auto-aligné d'éléments à motifs. Un rapport de forme d'élément à motifs initial peut être maintenu ou augmenté, par exemple pour atténuer l'érosion de l'élément pendant un ou plusieurs processus de fabrication de dispositif par soustraction. Une hauteur d'élément à motifs peut être augmentée sans modifier l'espacement effectif entre éléments adjacents sur lequel il est possible de dépendre ultérieurement, par exemple pour une formation de motifs ultérieure d'un matériau sous-jacent. Un élément à motifs peut être coiffé d'un matériau conforme, tel qu'un métal ou un diélectrique, d'une manière auto-alignée, par exemple pour former une couche de dispositif fonctionnelle sur un motif initial ayant un rapport de forme largeur d'espace sur hauteur de ligne approprié sans utiliser de masque de gravure pour délimiter la coiffe.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)