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1. (WO2017170451) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
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N° de publication : WO/2017/170451 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/012478
Date de publication : 05.10.2017 Date de dépôt international : 27.03.2017
CIB :
H01L 21/60 (2006.01) ,H01L 21/301 (2006.01) ,H01L 25/065 (2006.01) ,H01L 25/07 (2006.01) ,H01L 25/18 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
50
Assemblage de dispositifs à semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par l'un uniquement des groupes H01L21/06-H01L21/326185
60
Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
301
pour subdiviser un corps semi-conducteur en parties distinctes, p.ex. cloisonnement en zones séparées
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
03
les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes H01L27/-H01L51/132
04
les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
065
les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe H01L27/81
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
03
les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes H01L27/-H01L51/132
04
les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
07
les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe H01L29/81
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
18
les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes H01L27/-H01L51/166
Déposants :
三井化学東セロ株式会社 MITSUI CHEMICALS TOHCELLO, INC. [JP/JP]; 東京都千代田区神田美土代町7 7, Kandamitoshiro-cho, Chiyoda-ku, Tokyo 1018485, JP
Inventeurs :
林下 英司 HAYASHISHITA Eiji; JP
Mandataire :
速水 進治 HAYAMI Shinji; JP
Données relatives à la priorité :
2016-06885930.03.2016JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置の製造方法
Abrégé :
(EN) This semiconductor device manufacturing method involves at least the following three steps: (A) a step in which a first structure (100) is prepared which is provided with an adhesive laminate film (50) having a heat resistant resin layer (10), a flexible resin layer (20), and an adhesive resin layer (30), in that order, and a first semiconductor component (60) which is adhered on the adhesive resin layer (30) and which has a first terminal (65); (B) a step in which, in a state adhered on the adhesive resin layer (30), the first structure (100) is subjected to reflow soldering; and (C) a step in which, after step (B), the heat resistant resin layer (10) is removed from the adhesive laminate film (50).
(FR) L'invention porte sur un procédé de fabrication de dispositif à semi-conducteur qui comprend au moins les trois étapes suivantes : (A) une étape à laquelle une première structure (100) est préparée qui est pourvue d'un film stratifié adhésif (50) comportant une couche de résine résistante à la chaleur (10), une couche de résine souple (20) et une couche de résine adhésive (30), dans cet ordre, et d'un premier composant à semi-conducteur (60) qui est collé sur la couche de résine adhésive (30) et qui comprend une première borne (65) ; (B) une étape à laquelle, dans un état collé sur la couche de résine adhésive (30), la première structure (100) est soumise à un soudage par refusion ; et (C) une étape à laquelle, après l'étape (B), la couche de résine résistante à la chaleur (10) est retirée du film stratifié adhésif (50).
(JA) 本発明の半導体装置の製造方法は、以下の3つの工程を少なくとも備えている。(A)耐熱性樹脂層(10)、柔軟性樹脂層(20)および粘着性樹脂層(30)をこの順番に有する粘着性積層フィルム(50)と、粘着性樹脂層(30)上に貼り付けられ、かつ、第1端子(65)を有する第1半導体部品(60)と、を備える第1構造体(100)を準備する工程、(B)粘着性樹脂層(30)上に貼り付けられた状態で、第1構造体(100)に対し、半田リフロー処理を行う工程、(C)工程(B)の後に、耐熱性樹脂層(10)を粘着性積層フィルム(50)から剥離する工程。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)