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1. (WO2017169973) PROCÉDÉ DE FABRICATION D’ÉBAUCHE DE MASQUE RÉFLÉCHISSANT, ÉBAUCHE DE MASQUE RÉFLÉCHISSANT, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE MASQUE RÉFLÉCHISSANT, MASQUE RÉFLÉCHISSANT, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS

Pub. No.:    WO/2017/169973    International Application No.:    PCT/JP2017/011180
Publication Date: Fri Oct 06 01:59:59 CEST 2017 International Filing Date: Wed Mar 22 00:59:59 CET 2017
IPC: G03F 1/24
G03F 1/84
G03F 7/20
Applicants: HOYA CORPORATION
HOYA株式会社
Inventors: SHOKI, Tsutomu
笑喜 勉
ONOUE, Takahiro
尾上 貴弘
Title: PROCÉDÉ DE FABRICATION D’ÉBAUCHE DE MASQUE RÉFLÉCHISSANT, ÉBAUCHE DE MASQUE RÉFLÉCHISSANT, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE MASQUE RÉFLÉCHISSANT, MASQUE RÉFLÉCHISSANT, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
Abstract:
La présente invention consiste à : former un substrat équipé d'un film réfléchissant multicouche par dépôt d'un film réfléchissant multicouche pour réfléchir une lumière EUV sur un substrat ; réaliser une inspection de défaut sur le substrat équipé d'un film réfléchissant multicouche ; déposer un film d'absorbeur pour absorber la lumière EUV sur le film réfléchissant multicouche du substrat équipé d'un film réfléchissant multicouche ; former une ébauche de masque réfléchissant dans laquelle, dans une région de bord périphérique externe d'une région de formation de motif, une région d'alignement, dans laquelle le film réfléchissant multicouche d'une région comprenant ce qui sert de référence d'informations de défaut sur le film réfléchissant multicouche est exposé, est formée par retrait du film d'absorbeur ; et utiliser la région d'alignement, réalisant une gestion de défaut de l'ébauche de masque réfléchissant.