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1. (WO2017169832) LIQUIDE DE TRAITEMENT POUR LA PRODUCTION DE SEMI-CONDUCTEURS, RÉCIPIENT DANS LEQUEL EST CONTENU UN LIQUIDE DE TRAITEMENT POUR LA PRODUCTION DE SEMI-CONDUCTEURS, PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIFS ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
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N° de publication : WO/2017/169832 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/010618
Date de publication : 05.10.2017 Date de dépôt international : 16.03.2017
CIB :
B65D 88/02 (2006.01) ,G03F 7/30 (2006.01) ,H01L 21/027 (2006.01) ,H01L 21/304 (2006.01)
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
65
MANUTENTION; EMBALLAGE; EMMAGASINAGE; MANIPULATION DES MATÉRIAUX DE FORME PLATE OU FILIFORME
D
RÉCEPTACLES POUR L'EMMAGASINAGE OU LE TRANSPORT D'OBJETS OU DE MATÉRIAUX, p.ex. SACS, TONNEAUX, BOUTEILLES, BOÎTES, BIDONS, CAISSES, BOCAUX, RÉSERVOIRS, TRÉMIES OU CONTENEURS D'EXPÉDITION; ACCESSOIRES OU FERMETURES POUR CES RÉCEPTACLES; ÉLÉMENTS D'EMBALLAGE; PAQUETS
88
Grands réceptacles
02
rigides
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
26
Traitement des matériaux photosensibles; Appareillages à cet effet
30
Dépouillement selon l'image utilisant des moyens liquides
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
027
Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe H01L21/18 ou H01L21/34187
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
304
Traitement mécanique, p.ex. meulage, polissage, coupe
Déposants :
富士フイルム株式会社 FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区西麻布2丁目26番30号 26-30, NISHIAZABU 2-chome, MINATO-KU, Tokyo 1068620, JP
Inventeurs :
清水 哲也 SHIMIZU, Tetsuya; JP
上村 哲也 KAMIMURA, Tetsuya; JP
Mandataire :
蔵田 昌俊 KURATA, Masatoshi; JP
野河 信久 NOGAWA, Nobuhisa; JP
河野 直樹 KOHNO, Naoki; JP
井上 正 INOUE, Tadashi; JP
Données relatives à la priorité :
2016-07325731.03.2016JP
2017-04586410.03.2017JP
Titre (EN) TREATMENT LIQUID FOR SEMICONDUCTOR PRODUCTION, CONTAINER IN WHICH TREATMENT LIQUID FOR SEMICONDUCTOR PRODUCTION IS CONTAINED, PATTERN FORMING METHOD AND METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRONIC DEVICE
(FR) LIQUIDE DE TRAITEMENT POUR LA PRODUCTION DE SEMI-CONDUCTEURS, RÉCIPIENT DANS LEQUEL EST CONTENU UN LIQUIDE DE TRAITEMENT POUR LA PRODUCTION DE SEMI-CONDUCTEURS, PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIFS ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 半導体製造用処理液、半導体製造用処理液が収容された収容容器、パターン形成方法及び電子デバイスの製造方法
Abrégé :
(EN) One purpose of the present invention is to provide: a treatment liquid for semiconductor production, which enables the production of a fine resist pattern or a fine semiconductor element by suppressing the occurrence of defects such as particles; and a container in which the treatment liquid for semiconductor production is contained. Another purpose of the present invention is to provide: a pattern forming method which uses the treatment liquid for semiconductor production; and a method for manufacturing an electronic device. A container according to one embodiment of the present invention is provided with a container part in which a treatment liquid for semiconductor production is contained. The treatment liquid for semiconductor production contains metal atoms of one or more species selected from among metal species Cu, Fe and Zn; and the total content of particulate metals that contain the above-described metal atoms of at least one species is 0.01-100 ppt by mass based on the total mass of the treatment liquid for semiconductor production.
(FR) La présente invention a pour objet de fournir : un liquide de traitement pour la production de semi-conducteurs, qui permet la production d'un motif de réserve fin ou d'un élément semi-conducteur fin par suppression de l'apparition de défauts tels que des particules ; et un récipient dans lequel est contenu le liquide de traitement pour la production de semi-conducteurs. Un autre but de la présente invention est de fournir : un procédé de formation de motif qui utilise le liquide de traitement pour la production de semi-conducteurs ; et un procédé de fabrication d'un dispositif électronique. Un récipient selon un mode de réalisation de la présente invention comporte une partie de récipient dans laquelle est contenu un liquide de traitement pour la production de semi-conducteurs. Le liquide de traitement pour la production de semi-conducteurs contient des atomes métalliques d'une ou plusieurs espèces choisies parmi les espèces métalliques Cu, Fe et Zn ; et la teneur totale en métaux particulaires qui contiennent les atomes métalliques décrits ci-dessus d'au moins une espèce est de 0,01 à 100 ppt en masse sur la base de la masse totale du liquide de traitement pour la production de semi-conducteurs.
(JA) 本発明の目的は、パーティクル等の欠陥の発生を抑制し、微細なレジスト パターン又は微細な半導体素子の製造を可能とする半導体製造用処理液を提供すること、また、その半導体製造用処理液が収容された収容容器を提供することにある。また、本発明の目的は、上記半導体製造用処理液を使用したパターン形成方法及び電子デバイスの製造方法を提供することにある。本発明の実施形態に係る収容容器は、半導体製造用処理液が収容された収容部を具備する収容容器である。上記半導体製造用処理液は、Cu、Fe及びZnからなる金属種から選択される1種又は2種以上の金属原子を含有し、上記金属原子の少なくとも1種を含む粒子性メタルの合計の含有率が、上記半導体製造用処理液の全質量を基準として、001~100質量pptである。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)