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1. (WO2017169754) DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
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N° de publication : WO/2017/169754 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/010301
Date de publication : 05.10.2017 Date de dépôt international : 15.03.2017
CIB :
H01L 27/146 (2006.01) ,H04N 5/369 (2011.01) ,H04N 5/374 (2011.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14
comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
144
Dispositifs commandés par rayonnement
146
Structures de capteurs d'images
H ÉLECTRICITÉ
04
TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
N
TRANSMISSION D'IMAGES, p.ex. TÉLÉVISION
5
Détails des systèmes de télévision
30
Transformation d'informations lumineuses ou analogues en informations électriques
335
utilisant des capteurs d'images à l'état solide [capteurs SSIS] 
369
architecture du capteur SSIS; circuits associés à cette dernière
H ÉLECTRICITÉ
04
TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
N
TRANSMISSION D'IMAGES, p.ex. TÉLÉVISION
5
Détails des systèmes de télévision
30
Transformation d'informations lumineuses ou analogues en informations électriques
335
utilisant des capteurs d'images à l'état solide [capteurs SSIS] 
369
architecture du capteur SSIS; circuits associés à cette dernière
374
Capteurs adressés, p.ex. capteurs MOS ou CMOS
Déposants :
ソニー株式会社 SONY CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区港南1丁目7番1号 1-7-1, Konan, Minato-ku, Tokyo 1080075, JP
Inventeurs :
城戸 英男 KIDO Hideo; JP
多田 正裕 TADA Masahiro; JP
豊島 隆寛 TOYOSHIMA Takahiro; JP
舘下 八州志 TATESHITA Yasushi; JP
岩田 晃 IWATA Hikaru; JP
Mandataire :
西川 孝 NISHIKAWA Takashi; JP
稲本 義雄 INAMOTO Yoshio; JP
Données relatives à la priorité :
2016-06560629.03.2016JP
Titre (EN) SOLID STATE IMAGING DEVICE AND ELECTRONIC APPARATUS
(FR) DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 固体撮像装置、及び電子機器
Abrégé :
(EN) The present configuration relates to a solid state imaging device and an electronic apparatus which allow the dynamic range at a pixel having a high-sensitivity pixel and a low-sensitivity pixel to be increased. This solid state imaging device comprises a pixel array unit wherein a plurality of pixels are disposed two-dimensionally. Each of the pixels comprises a first photoelectric conversion portion, and a second photoelectric conversion portion whereof the sensitivity is lower than that of the first photoelectric conversion portion. The size of the second photoelectric conversion portion in the optical axis direction thereof, along which the light enters, is smaller than the size of the first photoelectric conversion portion in the optical axis direction thereof. The present configuration can be applied, for instance, to a backside-illuminated CMOS image sensor.
(FR) La présente invention concerne un dispositif d'imagerie à semi-conducteurs et un appareil électronique qui permettent d'augmenter la gamme dynamique au niveau d'un pixel comprenant un pixel à haute sensibilité et un pixel à faible sensibilité. Ce dispositif d'imagerie à semi-conducteurs comprend une unité de matrice de pixels dans laquelle une pluralité de pixels sont disposés en deux dimensions. Chacun des pixels comprend une première partie de conversion photoélectrique, et une seconde partie de conversion photoélectrique dont la sensibilité est inférieure à celle de la première partie de conversion photoélectrique. La taille de la seconde partie de conversion photoélectrique dans la direction de son axe optique, le long duquel la lumière entre, est inférieure à la taille de la première partie de conversion photoélectrique dans la direction de son axe optique. La présente invention peut être appliquée, par exemple, à un capteur d’image CMOS éclairé par l'arrière.
(JA) 本技術は、高感度画素と低感度画素を有する画素においてダイナミックレンジをより拡大することができるようにする固体撮像装置、及び電子機器に関する。 固体撮像装置は、複数の画素が2次元状に配置されている画素アレイ部を備え、画素は、第1の光電変換部と、第1の光電変換部よりも感度が低い第2の光電変換部とを有し、第2の光電変換部は、光の入射する光軸方向のサイズが、第1の光電変換部の光軸方向のサイズよりも小さいサイズとなる。本技術は、例えば、裏面照射型のCMOSイメージセンサに適用することができる。
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Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)