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1. (WO2017168910) CELLULE SOLAIRE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
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N° de publication : WO/2017/168910 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/000028
Date de publication : 05.10.2017 Date de dépôt international : 04.01.2017
CIB :
H01L 31/0747 (2012.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
04
adaptés comme dispositifs de conversion
06
caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
072
les barrières de potentiel étant uniquement du type PN à hétérojonction
0745
comprenant uniquement une hétérojonction AIVBIV, p.ex. cellules solaires Si/Ge, SiGe/Si ou Si/SiC
0747
comprenant une hétérojonction avec des matériaux cristallins et amorphes, p.ex. cellules solaires avec une couche mince intrinsèque ou HIT
Déposants :
パナソニックIPマネジメント株式会社 PANASONIC INTELLECTUAL PROPERTY MANAGEMENT CO., LTD. [JP/JP]; 大阪府大阪市中央区城見2丁目1番61号 1-61, Shiromi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5406207, JP
Inventeurs :
片山 博貴 KATAYAMA Hirotaka; null
篠原 亘 SHINOHARA Wataru; null
益子 慶一郎 MASUKO Keiichiro; null
Mandataire :
特許業務法人YKI国際特許事務所 YKI PATENT ATTORNEYS; 東京都武蔵野市吉祥寺本町一丁目34番12号 1-34-12, Kichijoji-Honcho, Musashino-shi, Tokyo 1800004, JP
Données relatives à la priorité :
2016-06302828.03.2016JP
Titre (EN) SOLAR BATTERY CELL AND METHOD OF MANUFACTURING SAME
(FR) CELLULE SOLAIRE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 太陽電池セル及びその製造方法
Abrégé :
(EN) In a back-junction solar battery cell 70, polycrystalline silicon grains 13b containing at least one of amorphous silicon, microcrystalline silicon and polycrystalline silicon are caused to be present discretely on a passivation layer 13i and a second conduction type layer 13p.
(FR) Dans une cellule solaire 70 à jonction arrière, des grains de silicium polycristallin 13b contenant au moins du silicium amorphe, du silicium microcristallin et du silicium polycristallin sont amenés à être présents de manière discrète sur une couche de passivation 13i et sur une couche 13p présentant un second type de conduction.
(JA) 裏面接合型の太陽電池セル70において、パッシベーション層13i及び第2導電型層13p上にアモルファスシリコン、微結晶シリコン及び多結晶シリコンのうち少なくとも1つを含む多結晶シリコン粒13bが離散的に存在させる。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)