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1. (WO2017168811) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE (DEL) ÉMETTANT DANS L'ULTRAVIOLET LOINTAIN ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION

Pub. No.:    WO/2017/168811    International Application No.:    PCT/JP2016/082397
Publication Date: Fri Oct 06 01:59:59 CEST 2017 International Filing Date: Wed Nov 02 00:59:59 CET 2016
IPC: H01L 33/10
H01L 33/32
Applicants: MARUBUN CORPORATION
丸文株式会社
TOSHIBA KIKAI KABUSHIKI KAISHA
東芝機械株式会社
RIKEN
国立研究開発法人理化学研究所
ULVAC, INC.
株式会社アルバック
TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
東京応化工業株式会社
Inventors: KASHIMA Yukio
鹿嶋 行雄
MATSUURA Eriko
松浦 恵里子
KOKUBO Mitsunori
小久保 光典
TASHIRO Takaharu
田代 貴晴
HIRAYAMA Hideki
平山 秀樹
KAMIMURA Ryuichiro
上村 隆一郎
OSADA Yamato
長田 大和
MORITA Toshiro
森田 敏郎
Title: DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE (DEL) ÉMETTANT DANS L'ULTRAVIOLET LOINTAIN ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abstract:
L'objectif de l'invention est d'augmenter le rendement d'extraction de lumière dans une diode électroluminescente (DEL) émettant dans l'ultraviolet lointain. La DEL émettant dans l'ultraviolet lointain possède λ comme longueur d'onde de conception et les caractéristiques suivantes : la DEL émettant dans l'ultraviolet lointain possède une couche d'électrode réfléchissante, une couche métallique, une couche de contact GaN du type p et, transparentes à la longueur d'onde λ, une couche AlGaN du type p, une couche barrière multi-quantique ou une couche de blocage d'électrons, une couche barrière et une couche de puits quantique, dans cet ordre à partir du côté opposé à un substrat ; l'épaisseur de film de la couche AlGaN du type p est au maximum de 100 nm ; une structure périodique de cristal photonique réfléchissante contient au moins l'interface entre la couche de contact GaN du type p et la couche AlGaN du type p, et possède une pluralité de cavités ménagées dans les limites d'une plage, dans le sens de l'épaisseur, ne dépassant pas la couche AlGaN du type p dans la direction du substrat ; la valeur maximale du rendement d'extraction de lumière est obtenue lorsque la distance des surfaces d'extrémité des cavités dans la direction du substrat à la couche de puits quantique est d'au maximum 80 nm et supérieure ou égale à la valeur d'épaisseur de film totale pour la couche barrière plus la couche barrière multi-quantique (ou la couche de blocage d'électrons), et la profondeur h de la structure périodique de cristal photonique réfléchissante est inférieure à la valeur d'épaisseur de film totale pour la couche AlGaN du type p plus la couche de contact GaN du type p ; la structure périodique de cristal photonique réfléchissante présente une bande interdite photonique qui est ouverte à une composante de polarisation TE ; la période a de la structure périodique de cristal photonique satisfait les conditions de Bragg relatives à une lumière de la longueur d'onde de conception λ ; le numéro d'ordre m dans la formule de conditions de Bragg satisfait 1 ≤ m ≤ 5 ; quand R est le rayon de chacune des cavités, R/a, où la bande interdite photonique est maximale, est satisfait.