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1. (WO2017168675) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, PROCÉDÉ DE CHARGEMENT DE SUBSTRAT ET SUPPORT D'ENREGISTREMENT

Pub. No.:    WO/2017/168675    International Application No.:    PCT/JP2016/060652
Publication Date: Fri Oct 06 01:59:59 CEST 2017 International Filing Date: Fri Apr 01 01:59:59 CEST 2016
IPC: H01L 21/31
C23C 16/44
H01L 21/677
Applicants: KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION
株式会社KOKUSAI ELECTRIC
Inventors: KAGA, Yukinao
加我友紀直
YOSHIDA, Ryosuke
吉田怜亮
Title: PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, PROCÉDÉ DE CHARGEMENT DE SUBSTRAT ET SUPPORT D'ENREGISTREMENT
Abstract:
Le but de la présente invention est de fournir une technique qui permet une diminution de l'influence de la superficie par substrat de superficie importante et du nombre de substrats chargés, ce qui permet d'obtenir une uniformité d'épaisseur de film supérieure sur les régions de chargement de substrat, lorsque des substrats de grande superficie sont traités dans un four à lots. A cette fin, la présente invention comprend: une étape pour charger des substrats de grande superficie de manière répartie, dans lequel, avec un support de substrat qui comporte des régions de chargement de substrat ayant une pluralité de fentes, qui supporte une pluralité de substrats en ayant les substrats chargés dans les fentes, et qui a un nombre maximal de substrats chargés de X (X ≥ 3) lorsque le support de substrat est chargé avec Y (Y < X) substrats de grande superficie ayant des motifs formés sur leurs surfaces supérieures, les surfaces supérieures ayant une superficie de 3πr2 ou plus par rapport à un rayon r, les substrats de grande superficie sont chargés d'une manière distribuée de telle sorte que le nombre maximal de substrats de grande superficie qui sont chargés successivement est Z (Z < Y), et la valeur Z est ajustée de telle sorte que chacune (a) de la valeur d'uniformité, à travers les régions de chargement de substrat, des densités moyennes de substrat de grande superficie dans un total de 11 fentes comprenant chaque fente et les dix fentes voisines de cette fente lorsque 25 ≤ X ≤ 200, (b) de la valeur d'uniformité, sur les régions de chargement de substrat, des densités moyennes de substrat de grande superficie dans un total de cinq fentes comprenant chaque fente et les quatre fentes voisines de cette fente lorsque 11 ≤ X ≤ 24, et (c) de la valeur d'uniformité, sur les régions de chargement de substrat, des densités moyennes de substrat de grande superficie dans un total de trois fentes comprenant chaque fente et les deux fentes voisines de cette fente lorsque 5 ≤ X ≤ 10, est inférieure à la valeur d'uniformité, sur les régions de chargement de substrat, des densités moyennes de substrat de grande superficie lorsque Z = Y; et une étape de réception, dans une chambre de traitement, du support de substrat chargé avec les substrats de grande superficie de manière distribuée, et de traitement des substrats de grande superficie.