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1. (WO2017168675) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, PROCÉDÉ DE CHARGEMENT DE SUBSTRAT ET SUPPORT D'ENREGISTREMENT
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N° de publication :    WO/2017/168675    N° de la demande internationale :    PCT/JP2016/060652
Date de publication : 05.10.2017 Date de dépôt international : 31.03.2016
CIB :
H01L 21/31 (2006.01), C23C 16/44 (2006.01), H01L 21/677 (2006.01)
Déposants : HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. [JP/JP]; 15-12, Nishi-shimbashi 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1058039 (JP)
Inventeurs : KAGA, Yukinao; (JP).
YOSHIDA, Ryosuke; (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR LOADING SUBSTRATE, AND RECORDING MEDIUM
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, PROCÉDÉ DE CHARGEMENT DE SUBSTRAT ET SUPPORT D'ENREGISTREMENT
(JA) 半導体装置の製造方法、基板装填方法および記録媒体
Abrégé : front page image
(EN)[Problem] To provide a technique that enables a decrease in the influence of the surface area per large-surface-area substrate and the number of loaded substrates, thus achieving superior film thickness uniformity across substrate loading regions, when large-surface-area substrates are processed in a batch furnace. [Solution] The present invention has: a step for loading large-surface-area substrates in a distributed manner, wherein, with a substrate support that is provided with substrate loading regions having a plurality of slots, that supports a plurality of substrates by having the substrates loaded into the slots, and that has a maximum number of loaded substrates of X (X≥3), when the substrate support is loaded with Y (Y2 or more with respect to a radius r, the large-surface-area substrates are loaded in a distributed manner such that the maximum number of large-surface-area substrates that are loaded successively is Z (Z
(FR)Le but de la présente invention est de fournir une technique qui permet une diminution de l'influence de la superficie par substrat de superficie importante et du nombre de substrats chargés, ce qui permet d'obtenir une uniformité d'épaisseur de film supérieure sur les régions de chargement de substrat, lorsque des substrats de grande superficie sont traités dans un four à lots. A cette fin, la présente invention comprend: une étape pour charger des substrats de grande superficie de manière répartie, dans lequel, avec un support de substrat qui comporte des régions de chargement de substrat ayant une pluralité de fentes, qui supporte une pluralité de substrats en ayant les substrats chargés dans les fentes, et qui a un nombre maximal de substrats chargés de X (X ≥ 3) lorsque le support de substrat est chargé avec Y (Y < X) substrats de grande superficie ayant des motifs formés sur leurs surfaces supérieures, les surfaces supérieures ayant une superficie de 3πr2 ou plus par rapport à un rayon r, les substrats de grande superficie sont chargés d'une manière distribuée de telle sorte que le nombre maximal de substrats de grande superficie qui sont chargés successivement est Z (Z < Y), et la valeur Z est ajustée de telle sorte que chacune (a) de la valeur d'uniformité, à travers les régions de chargement de substrat, des densités moyennes de substrat de grande superficie dans un total de 11 fentes comprenant chaque fente et les dix fentes voisines de cette fente lorsque 25 ≤ X ≤ 200, (b) de la valeur d'uniformité, sur les régions de chargement de substrat, des densités moyennes de substrat de grande superficie dans un total de cinq fentes comprenant chaque fente et les quatre fentes voisines de cette fente lorsque 11 ≤ X ≤ 24, et (c) de la valeur d'uniformité, sur les régions de chargement de substrat, des densités moyennes de substrat de grande superficie dans un total de trois fentes comprenant chaque fente et les deux fentes voisines de cette fente lorsque 5 ≤ X ≤ 10, est inférieure à la valeur d'uniformité, sur les régions de chargement de substrat, des densités moyennes de substrat de grande superficie lorsque Z = Y; et une étape de réception, dans une chambre de traitement, du support de substrat chargé avec les substrats de grande superficie de manière distribuée, et de traitement des substrats de grande superficie.
(JA)課題 大表面積基板をバッチ炉で処理する場合において、大表面積基板の1枚当りの表面積、および装填枚数の影響を低減し、良好な基板装填領域間の膜厚均一性を達成することが可能な技術を提供する。 解決手段 複数のスロットを有する基板装填領域を備え、複数の基板をスロットに装填して支持する基板支持具であって、基板の最大装填枚数がX枚(X≧3)である基板支持具に、半径rに対して上面の表面積が3πr以上となるようなパターンが上面に形成された大表面積基板を、基板支持具にY枚(Y<X)装填する際、大表面積基板の最大連続装填枚数がZ枚(Z<Y)となるよう分散して装填するとともに、(a)25≦X≦200では、各スロットおよび各スロットの隣接する10スロットの計11スロットにおける大表面積基板密度平均値の基板装填領域間均一性の値と、(b)11≦X≦24では、各スロットおよび各スロットの隣接する4スロットの計5スロットにおける大表面積基板密度平均値の基板装填領域間均一性の値と、(c)5≦X≦10では、各スロットおよび各スロットの隣接する2スロットの計3スロットにおける大表面積基板密度平均値の基板装填領域間均一性の値と、のそれぞれが、Z=Yとした場合における大表面積基板密度平均値の基板装填領域間均一性の値より小さくなるようZの値を調整して、大表面積基板を分散装填する工程と、大表面積基板を分散装填した基板支持具を処理室に収容して、大表面積基板を処理する工程と、を有する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)