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1. (WO2017167177) CIRCUIT D'ATTAQUE À GRANDE VITESSE ET À GRANDE EXCURSION APPROPRIÉ POUR ÊTRE UTILISÉ DANS UN MODULATEUR OPTIQUE AU SILICIUM

Pub. No.:    WO/2017/167177    International Application No.:    PCT/CN2017/078417
Publication Date: Fri Oct 06 01:59:59 CEST 2017 International Filing Date: Wed Mar 29 01:59:59 CEST 2017
IPC: H03K 19/094
Applicants: HUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.
华为技术有限公司
Inventors: ZHU, Wenrui
朱文锐
ZHANG, David
张德华
ZHAO, Lei
赵磊
Title: CIRCUIT D'ATTAQUE À GRANDE VITESSE ET À GRANDE EXCURSION APPROPRIÉ POUR ÊTRE UTILISÉ DANS UN MODULATEUR OPTIQUE AU SILICIUM
Abstract:
Selon divers modes de réalisation, la présente invention concerne un circuit d'attaque à grande vitesse et à grande excursion approprié pour être utilisé dans un modulateur optique au silicium ; le circuit d'attaque est connecté à un circuit de pré-étage d'attaque et à une charge de modulateur ; le circuit d'attaque comprend au moins un circuit de sortie, ledit circuit de sortie comprenant : un premier inverseur, un premier module de polarisation en tension, un second inverseur, un second module de polarisation en tension et une bobine d'inductance ; la borne d'entrée du premier inverseur est connectée à la borne de sortie du circuit de pré-étage d'attaque ; la borne de sortie du premier inverseur est connectée à la borne d'entrée du premier module de polarisation en tension ; la borne de sortie du premier module de polarisation en tension est connectée à la borne d'entrée du second inverseur ; la borne de sortie du second inverseur est connectée à la borne d'entrée du second module de polarisation en tension ; la borne de sortie du second module de polarisation en tension est connectée à la borne d'entrée de la bobine d'inductance ; la borne de sortie de la bobine d'inductance est connectée à la borne d'entrée de la charge de modulateur. Le circuit d'attaque formé par de telles connexions de circuit assure une grande vitesse tout en améliorant également l'excursion de sortie du circuit d'attaque.