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1. (WO2017166878) CRISTAL DE PHOSPHORE NOIR AYANT UN TAUX DE RÉACTION PHOTOÉLECTRIQUE ÉLEVÉ, JONCTION PN EN PHOSPHORE NOIR BIDIMENSIONNELLE, PROCÉDÉ DE PRÉPARATION ASSOCIÉ ET SON APPLICATION

Pub. No.:    WO/2017/166878    International Application No.:    PCT/CN2016/112646
Publication Date: Fri Oct 06 01:59:59 CEST 2017 International Filing Date: Thu Dec 29 00:59:59 CET 2016
IPC: H01L 29/861
C01B 25/00
H01L 31/048
Applicants: SUZHOU INSTITUTE OF NANO-TECH AND NANO-BIONICS (SINANO), CHINESE ACADEMY OF SCIENCES
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Inventors: ZHANG, Kai
张凯
ZHANG, Yuegang
张跃钢
XU, Yijun
徐轶君
Title: CRISTAL DE PHOSPHORE NOIR AYANT UN TAUX DE RÉACTION PHOTOÉLECTRIQUE ÉLEVÉ, JONCTION PN EN PHOSPHORE NOIR BIDIMENSIONNELLE, PROCÉDÉ DE PRÉPARATION ASSOCIÉ ET SON APPLICATION
Abstract:
L'invention concerne un cristal de phosphore noir ayant un taux de réaction photoélectrique élevé, une jonction PN en phosphore noir bidimensionnelle, un procédé de préparation associé et son application. Le cristal de phosphore noir ayant un taux de réaction photoélectrique élevé est un monocristal ayant un groupe de points spatiaux de Cmca(no.64), des paramètres de cellule de α = 3,2 Å - 3,4 Å, b = 10,4 Å - 10,6 Å et c = 4,3 Å - 4,5 Å, et un espacement intermédiaire de 4 Å - 6 Å, et présente les avantages d'un taux de réaction photoélectrique élevé, d'un type de semi-conducteur réglable, etc. ; le procédé de préparation associé est simple, nécessite des conditions modérées et présente les avantages d'un rendement élevé, d'un faible coût et d'une faible pollution. La jonction PN en phosphore noir bidimensionnelle comprend un film mince en phosphore noir bidimensionnel, un dopage de type n est effectué sur une première région du film mince de façon à former un semi-conducteur de type n, une seconde région est maintenue en tant que semi-conducteur de type p, et la première région est adjacente à la seconde région, de sorte qu'une face de jonction du semi-conducteur de type n et du semi-conducteur de type p forme une jonction PN. La jonction PN en phosphore noir bidimensionnelle possède les propriétés suivantes : une conductivité unidirectionnelle, un effet photovoltaïque spécial, etc., et le procédé de préparation associé est simple et efficace, présente une bonne reproductibilité, tout en étant compatible avec un processus semi-conducteur classique. Le cristal de phosphore noir et la jonction PN en phosphore noir bidimensionnelle ont un large potentiel d'application dans le domaine de la photo-électricité et de l'électronique.