Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales

1. (WO2017166167) TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION

Pub. No.:    WO/2017/166167    International Application No.:    PCT/CN2016/077991
Publication Date: Fri Oct 06 01:59:59 CEST 2017 International Filing Date: Fri Apr 01 01:59:59 CEST 2016
IPC: H01L 29/772
H01L 29/10
H01L 29/06
H01L 29/66
H01L 29/78
Applicants: HUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.
华为技术有限公司
Inventors: QIN, Xudong
秦旭东
XU, Huilong
徐慧龙
ZHANG, Chenxiong
张臣雄
Title: TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abstract:
L'invention concerne un transistor à effet de champ et son procédé de fabrication. Le transistor à effet de champ comprend deux électrodes de grille supérieures (1031C, 1031D) et deux électrodes de grille inférieures (1032A, 1032B). Les électrodes de grille supérieures (1031C, 1031D) et les électrodes de grille inférieures (1032A, 1032B) se font face par paires, de sorte que le nombre de porteurs induits par une tension de commande augmente dans le transistor à effet de champ, qu'un courant de sortie du transistor à effet de champ est augmenté et qu'une fréquence limite d'un gain de puissance pendant un usage à haute fréquence est augmentée, et qu'un champ électrique entre les électrodes de grille supérieures (1031C, 1031D) et les électrodes de grille inférieures (1032A, 1032B) recouvre plus complètement une couche de canal (106) entre des électrodes de source (1041, 1042) et une électrode de drain (105), réduisant ainsi l'effet parasite dans une haute fréquence et améliorant en outre les caractéristiques de fréquence du transistor à effet de champ.