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1. (WO2017145987) MODULE LASER À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
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N° de publication : WO/2017/145987 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/006140
Date de publication : 31.08.2017 Date de dépôt international : 20.02.2017
CIB :
H01S 5/022 (2006.01) ,H01L 23/40 (2006.01) ,H01S 5/024 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
S
DISPOSITIFS UTILISANT L'ÉMISSION STIMULÉE
5
Lasers à semi-conducteurs
02
Détails ou composants structurels non essentiels au fonctionnement laser
022
Supports; Boîtiers
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
34
Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température
40
Supports ou moyens de fixation pour les dispositifs de refroidissement ou de chauffage amovibles
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
S
DISPOSITIFS UTILISANT L'ÉMISSION STIMULÉE
5
Lasers à semi-conducteurs
02
Détails ou composants structurels non essentiels au fonctionnement laser
024
Dispositions pour le refroidissement
Déposants :
株式会社フジクラ FUJIKURA LTD. [JP/JP]; 東京都江東区木場一丁目5番1号 5-1, Kiba 1-chome, Koto-ku Tokyo 1358512, JP
Inventeurs :
貝渕 良和 KAIFUCHI Yoshikazu; JP
Mandataire :
森 友宏 MORI Tomohiro; JP
Données relatives à la priorité :
2016-03387525.02.2016JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR LASER MODULE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) MODULE LASER À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体レーザモジュール及びその製造方法
Abrégé :
(EN) A semiconductor laser module 1 is provided with: a conductive heatsink 10; a submount 20 disposed above the heatsink 10; a semiconductor laser element 30 disposed above the submount 20; a lower-side solder layer 50 disposed between the heatsink 10 and the submount 20; and an upper-side solder layer 60 electrically connected to the semiconductor laser element 30 and the heatsink 10. The upper-side solder layer 60 has electrical resistively lower than that of the submount 20 and extends to the heatsink 10 along surfaces 21 and 22 of the submount 20.
(FR) L'invention concerne un module laser à semi-conducteur (1) comportant : un dissipateur thermique conducteur (10) ; une embase (20) disposée au-dessus du dissipateur thermique (10) ; un élément laser à semi-conducteur (30) disposé au-dessus de l'embase (20) ; une couche de brasure côté inférieur (50) disposée entre le dissipateur thermique (10) et l'embase (20) ; et une couche de brasure côté supérieur (60) connectée électriquement à l'élément laser à semi-conducteur (30) et au dissipateur thermique (10). La couche de brasure côté supérieur (60) présente une résistivité électrique inférieure à celle de l'embase (20), et s'étend jusqu'au dissipateur thermique (10) le long de surfaces (21) et (22) de l'embase (20).
(JA) 半導体レーザモジュール1は、導電性を有するヒートシンク10と、ヒートシンク10の上方に配置されるサブマウント20と、サブマウント20の上方に配置される半導体レーザ素子30と、ヒートシンク10とサブマウント20との間に配置される下側はんだ層50と、半導体レーザ素子30及びヒートシンク10に電気的に接続される上側はんだ層60とを備えている。この上側はんだ層60は、サブマウント20の電気抵抗率よりも低い電気抵抗率を有しており、サブマウント20の表面21,22に沿ってヒートシンク10まで延びている。
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Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)