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1. (WO2017145840) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, ET SUPPORT D'ENREGISTREMENT LISIBLE PAR ORDINATEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2017/145840    N° de la demande internationale :    PCT/JP2017/005138
Date de publication : 31.08.2017 Date de dépôt international : 13.02.2017
CIB :
H01L 21/027 (2006.01), B05C 11/08 (2006.01), B05D 1/40 (2006.01), B05D 3/00 (2006.01), G03F 7/16 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-1 Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325 (JP)
Inventeurs : KATO Kanzo; (JP).
HATAKEYAMA Shinichi; (JP).
SHIBATA Naoki; (JP)
Mandataire : HASEGAWA Yoshiki; (JP).
KUROKI Yoshiki; (JP).
KASHIOKA Junji; (JP)
Données relatives à la priorité :
2016-035203 26.02.2016 JP
Titre (EN) SUBSTRATE PROCESSING METHOD, SUBSTRATE PROCESSING DEVICE AND COMPUTER-READABLE RECORDING MEDIUM
(FR) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, ET SUPPORT D'ENREGISTREMENT LISIBLE PAR ORDINATEUR
(JA) 基板処理方法、基板処理装置及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
Abrégé : front page image
(EN)The objective of the invention is to increase the uniformity of the thickness of a coating film while reducing the amount of coating solution used. This wafer processing method comprises a first step (S3) of supplying a coating solution to the surface of a wafer rotating at a first rotation speed (ω2), and a second step (S5) of supplying, after the first step and before the coating solution supplied to the surface of the wafer dries, the coating solution to the surface of the wafer rotating at a second rotation speed (ω4) that is lower than the first rotation speed (ω2).
(FR)L'objectif de l'invention est d'augmenter l'uniformité de l'épaisseur d'un film de revêtement tout en réduisant la quantité de solution de revêtement utilisée. Un procédé de traitement de tranche selon l'invention comprend une première étape (S3) consistant à apporter une solution de revêtement sur la surface d'une tranche tournant à une première vitesse de rotation (ω2), et une deuxième étape (S5) consistant à apporter, après la première étape et avant que la solution de revêtement appliquée sur la surface de la tranche ne sèche, la solution de revêtement sur la surface de la tranche tournant à une deuxième vitesse de rotation (ω4) qui est inférieure à la première vitesse de rotation (ω2).
(JA)塗布液の使用量を低減しつつ塗布膜の膜厚の均一性を向上させる。ウエハの処理方法は、第1の回転数(ω2)で回転しているウエハの表面に塗布液を供給する第1の工程(S3)と、第1の工程の後で且つウエハの表面に供給された塗布液が乾燥する前に、第1の回転数(ω2)よりも低い第2の回転数(ω4)で回転しているウエハの表面に塗布液を供給する第2の工程(S5)とを含む。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)