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1. (WO2017145632) PROCÉDÉ POUR FABRIQUER UN SUBSTRAT À BASE DE CARBURE DE SILICIUM, PROCÉDÉ POUR FABRIQUER UN SUBSTRAT ÉPITAXIAL À BASE DE CARBURE DE SILICIUM, ET PROCÉDÉ POUR FABRIQUER UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS À BASE DE CARBURE DE SILICIUM
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N° de publication : WO/2017/145632 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/002724
Date de publication : 31.08.2017 Date de dépôt international : 26.01.2017
CIB :
H01L 21/304 (2006.01) ,B24B 27/06 (2006.01) ,B28D 5/04 (2006.01)
Déposants : SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.[JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041, JP
Inventeurs : MATSUMOTO, Naoki; JP
OKITA, Kyoko; JP
Mandataire : FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; Nakanoshima Festival Tower West, 2-4, Nakanoshima 3-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005, JP
Données relatives à la priorité :
2016-03077222.02.2016JP
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SUBSTRATE, METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE EPITAXIAL SUBSTRATE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ POUR FABRIQUER UN SUBSTRAT À BASE DE CARBURE DE SILICIUM, PROCÉDÉ POUR FABRIQUER UN SUBSTRAT ÉPITAXIAL À BASE DE CARBURE DE SILICIUM, ET PROCÉDÉ POUR FABRIQUER UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS À BASE DE CARBURE DE SILICIUM
(JA) 炭化珪素基板の製造方法、炭化珪素エピタキシャル基板の製造方法および炭化珪素半導体装置の製造方法
Abrégé : front page image
(EN) According to the present invention, a silicon carbide ingot is cut with a wire. The polytype of the silicon carbide ingot is 4H-SiC. The silicon carbide ingot includes a top face, a bottom face on the opposite side from the top face, and a side face between the top face and the bottom face. The direction from the bottom face to the top face is a direction parallel to, or tilted by 8° or less relative to, the [0001] direction. In the process of cutting the silicon carbide ingot, the silicon carbide ingot is cut starting at the side face on the (000-1) face side, along a straight line parallel to a direction within ±5° relative to the direction that bisects the angle formed by the [1-100] direction and the [11-20] direction when viewed from the direction from the bottom face to the top face.
(FR) Selon la présente invention, un lingot de carbure de silicium est découpé avec un fil. Le polytype du lingot de carbure de silicium est 4H-SiC. Le lingot de carbure de silicium comprend une face supérieure, une face inférieure sur le côté opposé à la face supérieure, et une face latérale entre la face supérieure et la face inférieure. La direction allant de la face inférieure à la face supérieure est une direction parallèle à, ou inclinée de 8 ° ou moins par rapport à, la direction [0001]. Dans le processus de découpe du lingot de carbure de silicium, le lingot de carbure de silicium est découpé en partant de la face latérale sur le côté face (000-1), le long d'une ligne droite parallèle à une direction dans ±5 ° par rapport à la direction qui coupe en deux l'angle formé par la direction [1-100] et la direction [11-20] lors d'une observation à partir de la direction allant de la face inférieure à la face supérieure.
(JA) ワイヤによって炭化珪素インゴットが切断される。炭化珪素インゴットのポリタイプは、4H-SiCである。炭化珪素インゴットは、頂面と、頂面と反対側の底面と、頂面および底面の間の側面とを含む。底面から頂面に向かう方向は、[0001]方向に対して平行または8°以下傾斜した方向である。炭化珪素インゴットを切断する工程においては、(000-1)面側の側面から切断し始め、かつ底面から頂面に向かう方向から見て、[1-100]方向と[11-20]方向とがなす角度を2等分する方向から±5°以内の方向と平行な直線に沿って、炭化珪素インゴットが切断される。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)